隔离式电源半桥拓扑的GaN E模式性能
发布时间:2021/1/14 22:48:40 访问次数:333
两个GaN Systems 650-V GaN E-mode晶体管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的电路，包括半桥栅极驱动器，隔离式电源和可选的散热器。借助该演示板，设计人员可以使用通用母板（P / N：GS665MB-EVB）或他们自己的系统设计，评估任何基于半桥拓扑的GaN E模式性能。
功率级设计可用于各种应用，包括企业级1U电源（最高5 kW），高功率密度无桥图腾柱PFC，光伏逆变器，能量存储系统，电机驱动器和汽车DC / DC转换器和车载充电器。
制造商:Texas Instruments 产品种类:LVDS 接口集成电路 RoHS:N 类型:CMOS 激励器数量:4 Driver 接收机数量:4 Receiver 数据速率:400 Mb/s 输入类型:LVDS 输出类型:LVTTL 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V
最小输入电压:- 100 mV 工作电源电流:15 mA 工作电源电压:3.3 V Pd-功率耗散:866 mW 产品类型:LVDS Interface IC 传播延迟时间:3.3 ns 工厂包装数量:92 子类别:Interface ICs 单位重量:63 mg
目前Biscayne平台支持QNX® RTOS (6.2)，将来的软件计划支持包括其它的操作系统(用于汽车电子的VxWorks®, Windows® CE和Linux®)，Java(IBM®, OTI and Sun Java ® Virtual Machine)和中间设备(语音识别，回声消除等)。
为了容易系统调试，Hitachi提供实时仿真和源码级调试的E10A JTAG连接的调试器。Hitachi的嵌入式工作间(HEW)支持代码开发。HEW包提供灵活的代码开发环境，包括有项目方案产生，工具配置，版本控制，图形分析和调试控制能力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
两个GaN Systems 650-V GaN E-mode晶体管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的电路，包括半桥栅极驱动器，隔离式电源和可选的散热器。借助该演示板，设计人员可以使用通用母板（P / N：GS665MB-EVB）或他们自己的系统设计，评估任何基于半桥拓扑的GaN E模式性能。
功率级设计可用于各种应用，包括企业级1U电源（最高5 kW），高功率密度无桥图腾柱PFC，光伏逆变器，能量存储系统，电机驱动器和汽车DC / DC转换器和车载充电器。
制造商:Texas Instruments 产品种类:LVDS 接口集成电路 RoHS:N 类型:CMOS 激励器数量:4 Driver 接收机数量:4 Receiver 数据速率:400 Mb/s 输入类型:LVDS 输出类型:LVTTL 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V
最小输入电压:- 100 mV 工作电源电流:15 mA 工作电源电压:3.3 V Pd-功率耗散:866 mW 产品类型:LVDS Interface IC 传播延迟时间:3.3 ns 工厂包装数量:92 子类别:Interface ICs 单位重量:63 mg
目前Biscayne平台支持QNX® RTOS (6.2)，将来的软件计划支持包括其它的操作系统(用于汽车电子的VxWorks®, Windows® CE和Linux®)，Java(IBM®, OTI and Sun Java ® Virtual Machine)和中间设备(语音识别，回声消除等)。
为了容易系统调试，Hitachi提供实时仿真和源码级调试的E10A JTAG连接的调试器。Hitachi的嵌入式工作间(HEW)支持代码开发。HEW包提供灵活的代码开发环境，包括有项目方案产生，工具配置，版本控制，图形分析和调试控制能力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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