650V半桥评估板（30A和60A），用于评估氮化镓（GaN）驱动器和GaN晶体管在各种应用中的性能。子板是业界首款可提供具有可调阈值和可编程源电流，带有过流保护功能，以实现可调节的导通压摆率。

子板具有两种功率级别：最高3kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞萨电子RAA226110低侧GaN FET驱动器具有可编程的源电流和可调的过流保护。

RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET，提供6.5V至18V的宽电源电压范围。

SH7760"Camelot®"SuperH®RISC器件，它的性能和内置的外设特别适用于下一代中低挡汽车电子中的远程信息处理产品。Camelot SoC器件是基于已经验证过的32位超标量SH-4 RISC CPU内核，能同时执行两条指令。

内核工作在高达200MHz，片上高速缓冲存储器和RAM能提供高达360MIPS和1.4G浮点八进制(GFLOPS)高性能。远程信息处理系统工程师能利用这种高性能处理吞吐量,去实现更多和更好的便利和安全特性，例如蜂窝通信的免提呼叫。

Camelot芯片采用0.18微米生产工艺(1.5V内核和3.3V I/O)，已经有成套的内置外设功能，包括系统计时器，看门狗计时器，存储器管理单元(MMU)，有PLL和降功耗模式的时钟脉冲发生器，中断控制器(INTC)，直接存储器存取控制器(DMAC)和总线状态控制器(BSC)。

输入/输出(I/O)电路,主要有允许MPU直接和其它处理器芯片连接的多功能接口(MFI)；10位4通道的ADC:用于内部通信和控制的Hitachi控制器区域网络2(HCAN2)接口；USB主接口和两个音频CODEC接口。

它包括一套全综合软件工具：编辑器，C编译器，汇编程序，目标代码连接器，程序库和模拟器。