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短距离光转发器作为OC-192串行解决方案

发布时间:2021/1/6 18:45:31 访问次数:708

低功耗SONET OC-192收发器,用作短距离光转发器。新的TI解决方案为单个器件提供四个2.5Gbps OC-48通道,使通信设备制造商能构成10Gbps OC-192转发器,作为OC-192串行解决方案的一部分成本。

SLK2504 SONET/SDH收发器把16通道622Mbps数据合并成四个独立的OC-48通道,两个冗余的OC-48通道,或一个OC-192通道。和光互联论坛(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光标准兼容,该器件用0.18微米CMOS工艺,以达到成本效率的集成度和低功耗。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 电源开关 IC - 配电

RoHS: 详细信息

类型: Low Side

输出端数量: 1 Output

输出电流: 1.5 A

电流限制: 1.2 A

导通电阻—最大值: 85 mOhms

工作电源电压: 2.5 V to 6.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-6

系列: TPS2552

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

产品: USB Current Limited Power Switches

商标: Texas Instruments

产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution

工厂包装数量: 3000

子类别: Switch ICs

电源电压-最大: 6.5 V

电源电压-最小: 2.5 V

零件号别名: HPA00714DBVR

单位重量: 36 mg

AG-AND闪存单元采用新颖的辅助栅区绝缘方法,以得到比传统浅槽绝缘(SGI)方法的更高的密度。这使得1G位的器件比用0.18微米工艺所生产的512M位的要小。

闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程,以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率,进行低电流快速并行写入。

日立公司计划采用多层单元技术来开发1G位闪存和其它器件的闪存控制器。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

低功耗SONET OC-192收发器,用作短距离光转发器。新的TI解决方案为单个器件提供四个2.5Gbps OC-48通道,使通信设备制造商能构成10Gbps OC-192转发器,作为OC-192串行解决方案的一部分成本。

SLK2504 SONET/SDH收发器把16通道622Mbps数据合并成四个独立的OC-48通道,两个冗余的OC-48通道,或一个OC-192通道。和光互联论坛(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光标准兼容,该器件用0.18微米CMOS工艺,以达到成本效率的集成度和低功耗。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 电源开关 IC - 配电

RoHS: 详细信息

类型: Low Side

输出端数量: 1 Output

输出电流: 1.5 A

电流限制: 1.2 A

导通电阻—最大值: 85 mOhms

工作电源电压: 2.5 V to 6.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-6

系列: TPS2552

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

产品: USB Current Limited Power Switches

商标: Texas Instruments

产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution

工厂包装数量: 3000

子类别: Switch ICs

电源电压-最大: 6.5 V

电源电压-最小: 2.5 V

零件号别名: HPA00714DBVR

单位重量: 36 mg

AG-AND闪存单元采用新颖的辅助栅区绝缘方法,以得到比传统浅槽绝缘(SGI)方法的更高的密度。这使得1G位的器件比用0.18微米工艺所生产的512M位的要小。

闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程,以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率,进行低电流快速并行写入。

日立公司计划采用多层单元技术来开发1G位闪存和其它器件的闪存控制器。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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