存储器采用小型48引脚TSOP 1型封装，和日立前面的产品512M位闪存产品一样。1G位器件在引脚排列和指令是和NAND型接口兼容的，只要稍为修改一下软件就能代替。

上电时的阅读功能，当系统上电时通过控制CE和RE引脚就能阅读多达2K字节的数据而不用指令或输入地址。这方便了起动过程。支持的工具如功能描述模式，C语言参考库等，将会在2000年10月起用，以帮助系统设计。

器件封在48引脚的MIL封装，仅消耗1.5W的功耗。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 参考类型:Shunt Adjustable References 输出电压:1.24 V to 18 V 初始准确度:0.5 % 温度系数:20 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:1.246 V 分流电流—最大值:100 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 输入电压:1.24 V 商标:Diodes Incorporated 分流电流—最小值:0.1 mA 关闭:No Shutdown 最大输出电压:18 V 湿度敏感性:Yes 产品类型:Voltage References 3000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:8 mg

单片1G位AND闪存，其写入速度达到每秒10M字节。

根据其专有的辅助栅AND型(AG-AND)多层单元的闪存技术，HN29V1G91存储器芯片能在大约13秒内记录128M字节的数据，相当于两小时CD质量的MP3音乐。它也适用于高档数码相机，以产生高分辨率的图像大文件和提供活动图像。

HN29V1G91的其它应用包括手机和有无线功能的PDA，能接收宽带发送的图像以及工业应用的高性能固态数据设备。