对于外部的DDR　SDRAM，VSC9118/VSC9115提供无粘贴接口，支持不同的路由应用，同时也很容易和冗余TDM交换设备连接。VSC9118支持OC-48和OC-192数据速率，有四个运行的和受保护的2.488Gbps或622Mbps背板接口，ＶSC9115则支持单一的OC-48数据速率，有单个运行的和受保护的2.488Gbps或622Mbps背板接口。

Vitesse公司提供这些器件的成套支持工具，包括有评估板，ＡPI器件驱动器，BSDL文件，IBIS模块，应用手册和应用支持。两种器件是728 TBGA封装。

制造商:Micron Technology产品种类:NOR闪存RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WDFN-8系列:存储容量:128 Mbit电源电压-最小:2.7 V电源电压-最大:3.6 V有源读取电流（最大值）:35 mA接口类型:SPI最大时钟频率:133 MHz组织:16 M x 8数据总线宽度:8 bit定时类型:Synchronous最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray速度:133 MHz商标:Micron电源电流—最大值:35 mA湿度敏感性:Yes产品类型:NOR Flash1920子类别:Memory & Data Storage单位重量:4 g

一种新的封装TESQ，比标准的4引脚SOT-343表面安装封装还小34%，使用在手机，无线PDA和无线局域网(WLAN)的低噪音放大器(LNA)和压控振荡器有更高的增益。

东芝的低噪音MT4S100T和高增益MT4S101T晶体管的TESQ封装，尺寸只有1.2mm x 1.2mmx0.52mm。MT4S101T很理想地用在WLAN中5.2GHz LNA。

锗硅技术由于结合了硅和锗的电特性，因而有很低的噪音和高增益。这类锗硅器件有低功耗的特性，很适合用在移动和无线电话以及PDA。