两款电流-增益特性优异、超低集电极-发射极饱和电压和开关速度快的低压功率双极晶体管STSA851和STN851。两款器件瞄准应急照明和汽车应用，同样也适用于电压调节器、冷阴极荧光照明系统、报警系统、高效低压开关电源和继电器驱动器。

在这两款器件中，STSA851采用TO-92封装，在环境温度25度时，额定总功率1.1 W。STN851 采用SOT-223封装，额定总功率1.6W。两款器件都采用NPN平面制造技术，基底小岛布局有助于提高增益，降低饱和电压，降低产品成本和器件尺寸(同一电气性能，芯片减少30%)，但同时不牺牲任何效率。

晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.4 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:7.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:8.5 ns 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:54 ns 典型接通延迟时间:9.5 ns 零件号别名:IPP50R190CE SP000850802 单位重量:6 g

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-263-7 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:120 V Id-连续漏极电流:180 A Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms Vgs

一个光控晶闸管(photo-thyristor)耦合(coupleto)一个砷化镓(galliumarsenide)红外发光二极管(diode)组成。左边 1 和 2 脚是发光二极管，当外加电压后，驱动发光二极管(LED)，使之发出一定波长的光，以此来触发光控晶闸管。

光控晶闸管的特点是门极区集成了一个光电二极管，触发信号源与主回路绝缘，它的关键是触发灵敏度要高。光控晶闸管控制极的触发电流由器件中光生载流子提。光控晶闸管阳极和阴极间加正压，门极区若用一定波长的光照射，则光控晶闸管由断态转入通态。