IBM把SiGe材料和改进的晶体管设计结合起来，能缩短电子的通路，提高器件的速度，得到了新的结果。在标准的CMOS晶体管，电子是水平移动的，缩短通路需要把晶体管做得更窄。由于需要新的制造工具，这又增加了难度和成本。

在这种情况下，IBM采用双极晶体管。在双极晶体管，电子的移动是垂直的，所以，降低晶体管的高度而不是宽度，能改善速度。IBM采用新颖的垂直缩放比例技术，降低了晶体管的高度，缩短了电子移动通道，从而改善了性能。

高性能固定增益放大器，以适应高速应用的更快更低噪音的模拟解决方案。它是采用该公司的突破性互补双极锗硅BiCom-III工艺来制造。它的宽带宽将会使无线基础设备和最新的测试设备受益，使新的AB类放大器在无线电放大器中更吸引人。

这种新型放大器THS4300，工作电压3-5V，带宽2.4GHz,能用在无线基站，转发站和其它基础设备，能以较小的体积提供更多的通路。先进的半导体测试设备也正在和下一代的高性能产品同步开发。首先，许多无线子系统将会用成本效率的AB类放大器代替A类RF放大器，既节省了功率又增加了部件间的增益。

THS4300高速运算放大器的固定增益为5，其它的两个将在2003年初推出：THS4301固定增益为2，THS4303固定增益为10。其它系列产品也在用先进的BiCom-III工艺在开发中。

由于它的高速和低失真，THS4300系列非常适合用来驱动数字信号处理中宽动态范围高分辨率的数据转换器，100欧姆负载在100MHz的三阶输出截距点(OIP3)有46dBm，保证在同样的增益变化下有更好的线性，降低了功耗。100MHz时，100欧姆负载的1Vpp信号包络，其三阶互调失真(IMD3)为-90dBc。

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