典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。  

50-4000MHz双路模拟电压可变衰减器(VVA).器件包括专利控制电路,为每个衰减器23dB衰减范围,其典型线性控制斜率8dB/V.两个衰减器共享共同的模拟控制,并级联以获得46dB总衰减和典型线性控制斜率16dB/V(5V工作).另外器件的4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.

MAX19791是单片集成电路,采Maxim公司的SiGeBiCMOS工艺,工作电压5V或3.3V,紧凑的36引脚TQFN封装(6mm x 6mm x 0.8mm).器件具有高度线性,整个衰减范围内IIP3大于+37.4dBm,输入P1dB为+22.6dBm.

封装DC=50V DC=100V  

0805 0.5---10000pF 0.5---8200pF  

1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF  

1210 560---56000pF 560---27000pF  

2225 1000pF---0.33μF 1000pF---0.18μF  NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

主要用在WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000M, GSM/EDGE和 MMDS,基站,VSAT/卫星调制解调器,微波点对点系统,温度补偿电路,自动控制电平(ALC),发送器增益控制,线性增益微调,接收器增益控制和通用测试设备.

产品的隔离耐压、浪涌耐压、ESD能力等均达到行业领先水平。作为国内首家通过VDE增强隔离认证的芯片公司，纳芯微能够帮助广大客户通过产品级隔离认证要求，以缩短产品研发和上市周期，从而捕捉到产品的最佳市场窗口。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）