在非易失性模式下，SRAM 数据将从 EEPROM 并行传输 / 回读或并行传输 / 回读到 EEPROM 内。使用 SONOS（硅 - 氧化硅 - 氮化硅 - 氧化硅 - 硅）技术生产 EEPROM 可以提供高产量，并且与浮栅加工技术相比，它需要的掩膜更少。SONOS 技术其他主要优点表现在：完善的设计和生产过程，带有 CMOS 微逻辑的良好可积分性，并且低功耗。

用户数据的写入次数不受限制，因为将这些数据写入到标准 SRAM 内。在产品的使用寿命期间，可以将 EEPROM 的存储周期次数修改为 100 多万次。传输数据时不需要任何电池。当将数据从 SRAM 传输到 EEPROM 内所需的电源由外部电容提供时，将自动进行数据传输。NV-SRAM 还与时钟逻辑配合使用，用于创建非易失性 RTC 组件。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PG-TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:6.8 A Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:13 nC 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:61 W 通道模式:Enhancement 商标名:CoolMOS 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 系列:CoolMOS CE 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:13 ns 湿度敏感性:Yes 产品类型:MOSFET 上升时间:8 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:60 ns 典型接通延迟时间:10 ns 零件号别名:IPD60R1K0CE SP001396896 单位重量:4 g

高热稳定性微功耗基准电压源TS824-1.2和TS824-2.5，目标应用在需要低功耗的以电池为能源的设备。TS824-1.2和TS824-2.5的温度系数为55ppm/C，在容性负载和工业范围温度-40度 到 85度内都很稳定。

TS824-1.2的输出电压是1.225V, TS824-2.5的输出电压是2.5V,适合用在电源，以电池为能源的设备，计算机，仪表，数据采集和功率管理电路。TS824-1.2在25度的工作电流为45 uA ，TS824-2.5在25度的工作电流为60 uA。最高工作温度时的工作电流，TS824-1.2 为12mA,TS824-2.5为15mA.

输出电压的精度，TS824-12为±1%，TS824-2。5为±0.5% 或±1%。两种器件的封装为SOT-23。