触摸屏接口和音频模块8mmx8mm的81引脚LFBGA封装
发布时间:2020/12/29 1:06:34 访问次数:635
便携和无线电子产品制造商必须寻求更加经济高效的方法,生产个性化的多功能产品,例如智能手机和无线PDA。为达到这个目标,这些制造商希望元件供应商能帮助其节省宝贵的电路板空间、延长电池寿命以及降低成本。
NCP4100将PDA系统两个主要的高级功能--触摸屏接口和完整音频模块,集成在面积仅为8 mmx8 mm的81引脚LFBGA封装内。由于绝大多数PDA的工作时间是处于待机状态,所以NCP4100特别设计成延长产品运行时间。具有可编程功能的部件有电池充电器、一个全特性音频部件、两个同步降压型稳压器、两个LDO、一个复位电路和一个欠压锁定。
制造商:Infineon 产品种类:门驱动器 RoHS: 详细信息 产品:Half-Bridge Drivers 类型:High Side, Low Side 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 激励器数量:2 Driver 输出端数量:2 Output 输出电流:130 mA 电源电压-最小:10 V 电源电压-最大:20 V 上升时间:170 ns 下降时间:90 ns 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:Synchronous 高度:1.5 mm 长度:5 mm 技术:Si 宽度:4 mm 商标:Infineon / IR 逻辑类型:CMOS, TTL 传播延迟—最大值:820 ns 最大关闭延迟时间:150 ns 最大开启延迟时间:680 ns 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:270 uA Pd-功率耗散:625 mW 产品类型:Gate Drivers 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg
一个 BBSRAM 包括三个主要组件:标准的 SRAM、电压传感器和开关芯片,以及锂电池。每个 BBSRAM 模块都具有一个自带的锂电池和控制电路(用于监控 VCC,以免发生超出容差范围)。如果发生这种情况下锂电池会自动打开,并且写保护功能会被无条件使能,以避免破坏数据。可执行的写周期次数不受限制,并且不需要支持微处理器接口的其他电路。
NV-SRAM 技术就是将 SRAM 和 EEPROM 技术结合在同一个芯片上。每一个 SRAM 单元都包含一个非易失性 EEPROM 元件。在 SRAM 模式下,存储器作为普通的静态 RAM 使用,其操作速率则为 SRAM 速度。
便携和无线电子产品制造商必须寻求更加经济高效的方法,生产个性化的多功能产品,例如智能手机和无线PDA。为达到这个目标,这些制造商希望元件供应商能帮助其节省宝贵的电路板空间、延长电池寿命以及降低成本。
NCP4100将PDA系统两个主要的高级功能--触摸屏接口和完整音频模块,集成在面积仅为8 mmx8 mm的81引脚LFBGA封装内。由于绝大多数PDA的工作时间是处于待机状态,所以NCP4100特别设计成延长产品运行时间。具有可编程功能的部件有电池充电器、一个全特性音频部件、两个同步降压型稳压器、两个LDO、一个复位电路和一个欠压锁定。
制造商:Infineon 产品种类:门驱动器 RoHS: 详细信息 产品:Half-Bridge Drivers 类型:High Side, Low Side 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 激励器数量:2 Driver 输出端数量:2 Output 输出电流:130 mA 电源电压-最小:10 V 电源电压-最大:20 V 上升时间:170 ns 下降时间:90 ns 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 特点:Synchronous 高度:1.5 mm 长度:5 mm 技术:Si 宽度:4 mm 商标:Infineon / IR 逻辑类型:CMOS, TTL 传播延迟—最大值:820 ns 最大关闭延迟时间:150 ns 最大开启延迟时间:680 ns 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:270 uA Pd-功率耗散:625 mW 产品类型:Gate Drivers 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg
一个 BBSRAM 包括三个主要组件:标准的 SRAM、电压传感器和开关芯片,以及锂电池。每个 BBSRAM 模块都具有一个自带的锂电池和控制电路(用于监控 VCC,以免发生超出容差范围)。如果发生这种情况下锂电池会自动打开,并且写保护功能会被无条件使能,以避免破坏数据。可执行的写周期次数不受限制,并且不需要支持微处理器接口的其他电路。
NV-SRAM 技术就是将 SRAM 和 EEPROM 技术结合在同一个芯片上。每一个 SRAM 单元都包含一个非易失性 EEPROM 元件。在 SRAM 模式下,存储器作为普通的静态 RAM 使用,其操作速率则为 SRAM 速度。