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激光器控制电路和雪崩光电二极管

发布时间:2020/12/21 21:00:23 访问次数:251

安捷伦可热插拔的光纤收发模块在发射和接受部分集成了激光器控制电路和雪崩光电二极管,降低了NEM设计周期,缩短了产品的面市时间。内部集成的波长锁定器节约了空间,为未来的高密度DWDM应用提供了平台。

安捷伦新型光纤收发模块为DWDM交换和路由设备、多业务光传输平台提供了光收发接口。该产品的传输距离现定为160km,未来的产品计划实现300km。新的光纤收发模块还可在35dB的光功率预算时,实现低功耗操作。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:55 V Id-连续漏极电流:11 A Rds On-漏源导通电阻:175 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:19 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:38 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon / IR 产品类型:MOSFET 2000 子类别:MOSFETs 单位重量:4 g

采用新型分散剂将超细SrFe磁性颗粒均匀分散、纳米级排列控制,从而达到高信噪比。

新研发的平滑非磁性层(下层)的使用,更进一步提高了磁带表面的光滑度,减少了磁头与磁性层的间距,增强了读取能力。将采用自主技术精确布局伺服的磁带与IBM Research全新开发的“跟踪技术”、“信号处理技术”以及相应的写入/读取设备相结合后,验证了其全球最高的317Gbpsi面记录密度,成功实现磁带容量的进一步提升。

作为全球份额第一的计算机数据存储用磁带制造商,富士胶片将继续研发和提供高性能、高品质的媒体和服务,以满足客户的需求和期望,助力解决社会问题。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


安捷伦可热插拔的光纤收发模块在发射和接受部分集成了激光器控制电路和雪崩光电二极管,降低了NEM设计周期,缩短了产品的面市时间。内部集成的波长锁定器节约了空间,为未来的高密度DWDM应用提供了平台。

安捷伦新型光纤收发模块为DWDM交换和路由设备、多业务光传输平台提供了光收发接口。该产品的传输距离现定为160km,未来的产品计划实现300km。新的光纤收发模块还可在35dB的光功率预算时,实现低功耗操作。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:55 V Id-连续漏极电流:11 A Rds On-漏源导通电阻:175 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:19 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:38 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon / IR 产品类型:MOSFET 2000 子类别:MOSFETs 单位重量:4 g

采用新型分散剂将超细SrFe磁性颗粒均匀分散、纳米级排列控制,从而达到高信噪比。

新研发的平滑非磁性层(下层)的使用,更进一步提高了磁带表面的光滑度,减少了磁头与磁性层的间距,增强了读取能力。将采用自主技术精确布局伺服的磁带与IBM Research全新开发的“跟踪技术”、“信号处理技术”以及相应的写入/读取设备相结合后,验证了其全球最高的317Gbpsi面记录密度,成功实现磁带容量的进一步提升。

作为全球份额第一的计算机数据存储用磁带制造商,富士胶片将继续研发和提供高性能、高品质的媒体和服务,以满足客户的需求和期望,助力解决社会问题。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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