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超低功耗14位ADC与EMIF接口的匹配关系

发布时间:2020/12/3 18:58:09 访问次数:731

RE01 1500KB是基于薄埋层氧化物上硅(SOTB)工艺技术的能效最高的Arm® Cortex®-M0+ MCU,在有源和待机状态下具有超低电流功耗,以及在低工作电压(1.62V)下高速工作频率64MHz.RE01 1500KB极大地延长了电池寿命,提供高性能.片上的1.5MB闪存满足需要存储大量数据如图像信息的应用.

RE01 1500KB还有能量收获控制电路,超低功耗14位ADC(4uA工作),低功耗闪存编程(重写大约0.6mA),用于人机接口(HMI)的外设如MIP-LCD屏IF和2D图像引擎以及支持模拟手表的驱动时钟手动调整和安全功能.通信功能包括单个带PHY层的USB 2.0全速主/功能模块,两个串行外设接口,单个128位缓冲器以及单个32位缓冲器.

TMS320VC5509ADSP 简单有效的 Flash 烧写方法,并提出了程序自举引导的实现方法。可以有效地解决程序代码存储问题和 DSP 脱机自举问题,不仅提高了调试效率,也增加了系统的灵活性。本文讨论的引导方法包括硬件设计及相关程序,已经在笔者的实际开发语音项目中使用并成功运行。

连接到外部闪存的单个四路串行外设接口和两个I2C总线接口,五个串行通信接口(SCIg)和两个串行通信接口(SCIi),每个有16B FIFO.工作电压1.62 V 到 3.6 V.

生成引导表的方法:通过在 DOS 环境下使用 hex55.exe 转换工具。在转换操作之前,先把用户程序生成的。

TMS320VC5509DSP 的 Bootloader 有多种加载方式,设置 DSP 的 GPIO0-GPIO3,DSP 在复位时读取这 4 个引脚上的状态以确定所使用的启动模式。使用 16-bitEMIF 加载方式,虽然连线复杂,需要考虑并行非易失存储器 Flash 与 EMIF 接口的匹配关系,但是它的优点很多:不需要外部时钟驱动,非易失存储器种类多样,容量较大,除了存储表之外,还可存储系统需要保存的关键数据,以便在掉电时保存信息。

TMS320VC5509A 的加载方式,在这些加载模式下,程序之前先要生成一张载入表,即引导表。引导表的结构,引导表携带的信息有代码段和数据段信息,向 DSP 程序的入口点地址、寄存器配置信息和可编程延时信息。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

RE01 1500KB是基于薄埋层氧化物上硅(SOTB)工艺技术的能效最高的Arm® Cortex®-M0+ MCU,在有源和待机状态下具有超低电流功耗,以及在低工作电压(1.62V)下高速工作频率64MHz.RE01 1500KB极大地延长了电池寿命,提供高性能.片上的1.5MB闪存满足需要存储大量数据如图像信息的应用.

RE01 1500KB还有能量收获控制电路,超低功耗14位ADC(4uA工作),低功耗闪存编程(重写大约0.6mA),用于人机接口(HMI)的外设如MIP-LCD屏IF和2D图像引擎以及支持模拟手表的驱动时钟手动调整和安全功能.通信功能包括单个带PHY层的USB 2.0全速主/功能模块,两个串行外设接口,单个128位缓冲器以及单个32位缓冲器.

TMS320VC5509ADSP 简单有效的 Flash 烧写方法,并提出了程序自举引导的实现方法。可以有效地解决程序代码存储问题和 DSP 脱机自举问题,不仅提高了调试效率,也增加了系统的灵活性。本文讨论的引导方法包括硬件设计及相关程序,已经在笔者的实际开发语音项目中使用并成功运行。

连接到外部闪存的单个四路串行外设接口和两个I2C总线接口,五个串行通信接口(SCIg)和两个串行通信接口(SCIi),每个有16B FIFO.工作电压1.62 V 到 3.6 V.

生成引导表的方法:通过在 DOS 环境下使用 hex55.exe 转换工具。在转换操作之前,先把用户程序生成的。

TMS320VC5509DSP 的 Bootloader 有多种加载方式,设置 DSP 的 GPIO0-GPIO3,DSP 在复位时读取这 4 个引脚上的状态以确定所使用的启动模式。使用 16-bitEMIF 加载方式,虽然连线复杂,需要考虑并行非易失存储器 Flash 与 EMIF 接口的匹配关系,但是它的优点很多:不需要外部时钟驱动,非易失存储器种类多样,容量较大,除了存储表之外,还可存储系统需要保存的关键数据,以便在掉电时保存信息。

TMS320VC5509A 的加载方式,在这些加载模式下,程序之前先要生成一张载入表,即引导表。引导表的结构,引导表携带的信息有代码段和数据段信息,向 DSP 程序的入口点地址、寄存器配置信息和可编程延时信息。


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