对于放大电路的最基本要求，一是不失真，二是能够放大。如果输出波形严重失真，所谓 “放大”就毫无意义了。因此，设置合适的静态工作点，以保证放大电路不产生失真是非常必 要的。

莱迪思MachXO3D改进了生产过程中的器件配置和编程步骤。这些优化搭配MachXO3D的安全特性，保障了MachXO3D和合法固件之间的安全通信，从而较好地保护了系统。这种保护从系统制造、运输、安装、运行到报废的整个生命周期中都有效。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F103C8 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-48 核心:ARM Cortex M3 程序存储器大小:64 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:72 MHz 输入/输出端数量:37 I/O 数据 RAM 大小:20 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:1.4 mm 长度:7 mm 产品:MCU 程序存储器类型:Flash 宽度:7 mm 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:10 Channel 计时器/计数器数量:3 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:1500 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 商标名:STM32 单位重量:180 mg

系统开发商通常会在系统部署后，利用FPGA的灵活性来增强系统功能。我们在保持MachXO3D灵活性的基础上，增加了一个安全配置模块，由此推出了业界首个符合美国国家标准与技术研究所（NIST）平台固件保护恢复（PFR）标准、面向控制的FPGA。

氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可以用更少的器件更有效地转换更高水平的功率.

基本共射放大电路的工作原理：

以NPN型晶体管组成的基本共射放大电路为例，阐明放大电路的组成原则及电路中 各元件的作用。

基本共射放大电路的组成及各元件的作用

图所示为基本共射放大电路,晶体管是起放大作用的核心元件。输入信号u,为正弦波电

压。由于该电路是依据晶体管工作在放大状态b-e、c-e所 需电压而组成，故也称之为原理性电路,以区别于实用电路。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）