EV12DD700双通道设备的beta测试版样品，以备批量出货。这种宽输出带宽的12位（或8位）数据转换器，可处理高达每秒12G采样点的采样率，具有在多个频带上生成信号波形的能力。

ADAS或EPS电源中的电源LSI，虚线框里面的部分，就是本身芯片所具有的一些主要功能和保护功能，在保证特性当中，芯片本身加入了像TSD的过热保护回路，OVP的过压保护回路和UVP的欠压保护回路等在里面。

为满足ASIL等级要求，与Tier1厂商、OEM厂商协商后，ROHM把红色框这部分进行强化，构建安全机制和自诊断功能。为了确保汽车安全行驶，针对LSI的安全等级会越来越高，通过本身虚线框芯片整个的基础构架，再加上红色框的“功能安全”的功能，来保证针对于像LSI等级的电源功能安全提升。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可用于最具挑战性的应用，充分灵活地优化空间、效率和成本。OptiMOS™ 产品经设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。MOSFET 特性 经优化的 SyncFET，用于高性能降压转换器 100% 经雪崩测试 N 沟道 非常低的导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V 超低栅极(Qg)和输出电荷(Qoss）（对于给定 RDS(on) 按照 JEDEC 标准符合目标应用要求 出色的热阻 无铅电镀；符合 RoHS 要求 无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准应用服务器的板载电源 高性能计算的电源管理 同步整流 高功率密度负载点转换器产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TDSON-8通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:50 A

最新推出的650 V CoolSiC™ MOSFET产品系列展开了深入的探讨。

第一个带隙（band gap）的部分，SiC是Si材料的大概三倍。单位面积的阻隔电压的能力，这个大概7倍，从0.3-2.2MV/cm。电子迁移率差不多，1.5cm2/ V·s、1.1cm2/ V·s 。热导率事实上也是大概3倍多。在整个电源供应器的运作本身，不可避免地有损耗，就会产生热。你可以把热带出来，代表了你的功率处理的能力比较强。电子漂移速度也大概2倍左右。

在整个功率器件市场，英飞凌是全球市场占有率最高的供应商，其Si产品包括低压MOS、高压MOS、IGBT等，英飞凌在SiC领域已有超过10年的经验。面对竞争者，陈清源称，英飞凌乐意竞争，也不怕竞争，有竞争才会进步。