使用分立器件一方面增加了集成商的设计难度和产品的一致性，另一方面在手机PCB空间上已经很难以分立器件方式集成所有的射频前端器件，因此，模块化是射频前端发展的必然趋势。

相对国际巨头在射频前端模块化的成就，国内厂商还处于探索阶段。除了积极尝试导入国内厂商的高集成度射频前端方案，以降低产品成本或应对未来供应链环节的不确定性。高度集成之后，对性能、兼容性等问题的综合考量，成为PAMiD持续整合的重要趋势。

特性

单节4.2V锰锂或3.6V磷酸铁锂电池充电

内置功率MOSFET,开关型工作模式，器件发热少，外围简单

可编程充电电流，0.1A--2A

可编程预充电电流，10%--100%

无需外接防倒灌肖特基二极管

宽工作电压，最大达到9V

两路LED充电状态指示

芯片温度保护，过流保护，欠压保护

电池温度保护、电池反接停机、短路保护

开关频率800KHz，可用电感2.2uH-10uH

自动再充电功能小于1％的充电电压控制精度

涓流、恒流、恒压三段充电，保护电池

采用QFN16 4mm*4mm 超小型封装

5G智能手机需要兼容2G/3G/4G，射频前端占用面积较大，中低频段5G射频前端主要以PAMID/L-PAMID（PA+滤波器+Switch+LNA）形式存在。

前射频前端巨头之一的Qorvo也提出，下一步将低噪声放大器(LNA)集成到PAMiD中，是推动射频前端模块继续发展的重要动力之一。

在5G商业化的落地之中，智能手机的天线和射频同路数量将显著增加多，对射频低噪声放大器的数量需求也会迅速增加，在手机PCB板空间有限的情况下，如何实现高度集成的模块化功能，成为新的思考。

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