不角度及线性的对齐偏差，连接器系统就能正常运行。这些对齐偏差值是通过考虑诸如绝缘体干扰、光束偏转和接触摩擦等因素来计算的。超过对齐偏差值可能会导致电路和/或绝缘体断路或损坏。

虽然设计、组件公差、设备和制造能力等所有必要的信息对于设计师通常是唾手可得，但能够与连接器制造商取得联系是很重要的，以提供更具体的指导和对对齐偏差公差累积的验证。

定位销不适用于多连接器应用,一些连接器制造商提供可选的定位销，它们通常位于连接器底部的相对侧。这些定位销有助于手动放置，可用于帮助连接器在PCB板上确定方向，且对于单连接器应用来说，它们不会增加整体公差累积。

虽然定位销对于手动放置和确定方向都非常有用，但对于多连接器应用来说，不建议使用它们，因为它们会对整体公差累积产生影响。

三种典型的高温应用外，在许多特种工业应用中，液体冷却受到严重限制时，电控系统将面临同样的高温挑战。耐高温的电控技术是实现以上高温应用的关键，其核心实现技术是SiC功率器件的高温封装技术和与之相匹配的高温驱动电路技术。

SiC材料及其器件结构有天生的耐高温能力，在真空条件下甚至可耐达400至600℃的高温。在实际应用中，为防止接触空气而产生氧化，SiC器件必须有封装，且若要耐高温，必须采用耐高温的封装。结温150℃是业界目前的最高标准，175℃结温等级刚刚开始展露，有准标准化封装可以采用，而200℃乃至更高温的封装对封装材料和工艺要求十分严苛，而且必须根据裸片特征进行定制设计，以保证导热和散热性能要求。

针对电动汽车和全电/多电飞机的功率电驱动应用，Cissoid还推出了三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系，该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低开关损耗技术，提供了一种已整合的解决方案，即IPM。IPM是由门极驱动电路和三相碳化硅功率模块组成，两者的配合已经过优化和协调，实现了SiC器件优势的充分利用。目前出品的CXT-PLA3SA12450AA模块的额定结温高达175°C，门极驱动电路可以在高达125°C的环境中运行。另外，随应用条件和场景的需求，通过更换更高等级的被动元器件和主要芯片及模块的封装可以进一步提升运行温度等级。

CXT-PLA3SA12450AA三相全桥1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块

Cissoid创新的特种SOI硅芯片技术，率先在高温半导体分立器件和小规模集成电路上实现了重大突破。随着第三代半导体如SiC功率半导体器件的日趋成熟和普及，其固有的耐高温性能与Cissoid高温半导体器件形成了非常好的搭配，由此将大大改变电力系统设计的格局，为设计工程师提供了全新的拓展空间。

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