在高温高湿环境下确保业界顶级的可靠性，通过采用新涂覆材料作为芯片的保护对策，并引进新工艺方法，使新模块通过了HV-H3TRB高温高湿反偏试验，从而使1700V耐压的产品得以成功走向市场。

比如在高温高湿反偏试验中，比较对象IGBT模块在1,000小时以内发生了引发故障的绝缘击穿，而BSM250D17P2E004在85℃／85%的高温高湿环境下，即使施加1360V达1,000小时以上，仍然无故障，表现出极高的可靠性。

优异的导通电阻性能，有助于设备进一步节新模块中使用的是ROHM产的SiC SBD和SiC MOSFET。通过SiC SBD和SiC MOSFET的最佳组合配置，使导通电阻低于同等普通产品10%，这将非常有助于应用进一步节能。

全球知名半导体制造商ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现业界顶级可靠性的额定值保证1700V 250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。

模块中采用了ROHM产的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（SBD），通过优化模块内部结构，使导通电阻性能比与同等SiC产品优异10％，非常有助于应用进一步节能。

ROHM不仅会继续扩充让客户安心使用的产品阵容，还会配备可轻松测试SiC模块的评估板等，以进一步满足日益扩大的市场需求。

SiC功率模块的产品阵容：

漏电流功率元器件中从绝缘的位置泄漏出来的微小电流。抑制漏电流可防止元器件损坏和功耗增加。

高温高湿反偏试验（HV-H3TRB：High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias）对于在高温高湿环境下使用功率元器件时的耐久性进行评估的试验。通过电场和水分引起的绝缘处漏电流的增加，来检测绝缘击穿等故障现象。

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