标准TO-247-3封装的碳化硅相比功耗降低
发布时间:2020/12/7 12:24:40 访问次数:1777
为深入理解相移如何随着波束方向(θ)而变，以图形方式绘制了不同条件下的这些等式图解。从这些图形中可以观察到一些有趣的现象。比如，d = λ/2时，瞄准线附近的斜率约为3:1，即等式2中的乘数π。这种情况还展示出，元件之间达到180°完整相移会使波束方向达到理论相移90°。
在真实的元件方向图中，这是不可能实现的，但等式的确显示出理论上的理想值。需要注意的是，d > λ/2时，不存在能够提供完整波束位移的相移。导致天线方向图中的栅瓣，该图形是第一次表明，d > λ/2情况下的行为有所不同。
产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-8电源电压-最大:8 V每个通道的输出电流:50 mA通道数量:2 ChannelGBP-增益带宽产品:710 kHzSR - 转换速率 :0.55 V/usCMRR - 共模抑制比:70 dB to 83 dBIb - 输入偏流:60 pAVos - 输入偏置电压 :0.95 mV电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:200 uA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C关闭:No Shutdown系列:资格:AEC-Q100封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel放大器类型:Low Voltage Amplifier 高度:1.15 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:3 mm 输出类型:Rail-to-Rail 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:LinCMOS 宽度:4.4 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V en - 输入电压噪声密度:40 nV/sqrt Hz In—输入噪声电流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 4 V 最小双重电源电压:+/- 1.35 V 工作电源电压:2.7 V to 8 V, +/- 1.35 V to +/- 4 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers
等间隔线性阵列,等式仅适用于两个元件。但实际的相控阵可能在两个维度上包含数千个间隔开的元件。但出于本文用途，我们仅考虑一个维度：线性阵列。
Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄准电动汽车(EV)市场，提供SuperGaN器件系列行业领先的固有性能增强、易设计性和优化的成本结构。该公司的Gen V GaN解决方案提供世界上最低的封装导通电阻，并且与采用标准TO-247-3封装的碳化硅(SiC)相比功耗降低了25%，从而提升GaN在EV功率转换市场上的潜力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
为深入理解相移如何随着波束方向(θ)而变，以图形方式绘制了不同条件下的这些等式图解。从这些图形中可以观察到一些有趣的现象。比如，d = λ/2时，瞄准线附近的斜率约为3:1，即等式2中的乘数π。这种情况还展示出，元件之间达到180°完整相移会使波束方向达到理论相移90°。
在真实的元件方向图中，这是不可能实现的，但等式的确显示出理论上的理想值。需要注意的是，d > λ/2时，不存在能够提供完整波束位移的相移。导致天线方向图中的栅瓣，该图形是第一次表明，d > λ/2情况下的行为有所不同。
产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-8电源电压-最大:8 V每个通道的输出电流:50 mA通道数量:2 ChannelGBP-增益带宽产品:710 kHzSR - 转换速率 :0.55 V/usCMRR - 共模抑制比:70 dB to 83 dBIb - 输入偏流:60 pAVos - 输入偏置电压 :0.95 mV电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:200 uA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C关闭:No Shutdown系列:资格:AEC-Q100封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel放大器类型:Low Voltage Amplifier 高度:1.15 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:3 mm 输出类型:Rail-to-Rail 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:LinCMOS 宽度:4.4 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V en - 输入电压噪声密度:40 nV/sqrt Hz In—输入噪声电流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 4 V 最小双重电源电压:+/- 1.35 V 工作电源电压:2.7 V to 8 V, +/- 1.35 V to +/- 4 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers
等间隔线性阵列,等式仅适用于两个元件。但实际的相控阵可能在两个维度上包含数千个间隔开的元件。但出于本文用途，我们仅考虑一个维度：线性阵列。
Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄准电动汽车(EV)市场，提供SuperGaN器件系列行业领先的固有性能增强、易设计性和优化的成本结构。该公司的Gen V GaN解决方案提供世界上最低的封装导通电阻，并且与采用标准TO-247-3封装的碳化硅(SiC)相比功耗降低了25%，从而提升GaN在EV功率转换市场上的潜力。
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