禁带宽度Eg< 2.3eV（电子伏特），则称为窄禁带半导体，如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)；若禁带宽度Eg＞2.3eV则称为宽禁带半导体，如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、H碳化硅(HSiC)、H碳化硅(HSiC)、氮化铝(AlN)以及氮化镓铝(ALGaN)等。

宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。

硅（Si）与化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈，不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展，难以应对能源与环境面临的严峻挑战，宽禁带半导体材料迎来广阔的发展机遇。

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制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F103C8 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-48 核心:ARM Cortex M3 程序存储器大小:64 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:72 MHz 输入/输出端数量:37 I/O 数据 RAM 大小:20 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:1.4 mm 长度:7 mm 产品:MCU 程序存储器类型:Flash 宽度:7 mm 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:10 Channel 计时器/计数器数量:3 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:1500 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 商标名:STM32 单位重量:180 mg

SiC的市场应用偏向高频小电力领域，集中在1000V以下；而SiC 适用于1200V 以上的高温大电力领域，两者的应用领域覆盖了新能源汽车、光伏、机车牵引、智能电网、节能家电、通信射频等大多数具有广阔发展前景的新兴应用市场。

与GaN 相比，SiC热导率是GaN 的三倍以上，在高温应用领域更有优势；同时SiC单晶的制备技术相对更成熟，所以SiC 功率器件的种类远多于GaN。 但是GaN并不完全处于劣势，甚至被称为SiC器件获得成长的最大抑制因素。随着GaN制造工艺在不断进步，在GaN-on-Si外延片上制造的GaN器件具有相当低的成本，比在SiC晶片上制造任何产品都更为容易。GaN晶体管可能会成为后期逆变器中的首选，优于较昂贵的SiC MOSFET。