通信波特率230KBPS 64层堆叠的3D NAND闪存芯片
发布时间:2020/11/28 17:56:17 访问次数:1183
MAX3100支持高速通信,最高通信波特率可达230KBPS,低功耗,支持低电压,设计后系统体积小,比采用外部时钟8253设计的印制版尺寸的一半还小。而且能够使软件设计实现起来更可靠。
图形化界面SIM卡系统应用环境。远端管理服务器:该服务器是定位于 SCWS 的OTA(Over-The-Air 空中下载)服 务器,用来实现SIM 卡上内容的及时更新、管理、统计等;
基于RFID的无线护理系统软件实现包括数据库和应用软件实现,其中数据库直接应用“军卫一号”HIS数据库中的相关表,包括患者主索引、医嘱表、价表等。需添加表为RFID标签与HIS数据库中患者ID号对照表和药品RF1D标签与医嘱对照表等。
NS4150优异的全带宽 EMI抑制能力
优异的“上电,掉电”噪声抑制
3W输出功率(5V电源、4Ω负载)
0.1%THD(0.5W输出功率、3.6V电源)
无需滤波器Class-D 结构
高达90%的效率
高PSRR:-80dB(217Hz)
低静态电流:3mA(3.6V电源、No load)
工作电压范围:3.0V~5.25V
过流保护、过热保护、欠压保护
MSOP8和SOP8封装NS4150应用插卡音箱
USB音箱
低压音响系统
96层NAND存储技术,DRAM也加速迈向1ynm;我国中芯国际也实现16/14nm工艺小规模量产,缩短与国外差距,长江存储、合肥长鑫和福建晋华也实现存储工艺突破,在做量产前准备。
长江存储在美国圣克拉拉召开的全球闪存峰会上发布突破性技术XtackingTM ,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。长江存储计划在2019年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。
12英寸FAN OUT工艺量产线,线宽2um/线距2um;Cu Pillar实现10nm产品的量产;成功研发生产出业界集成度最佳的射频物联网集成模块;国内首条12寸Gold Bump生产线成功实现量产。
MAX3100支持高速通信,最高通信波特率可达230KBPS,低功耗,支持低电压,设计后系统体积小,比采用外部时钟8253设计的印制版尺寸的一半还小。而且能够使软件设计实现起来更可靠。
图形化界面SIM卡系统应用环境。远端管理服务器:该服务器是定位于 SCWS 的OTA(Over-The-Air 空中下载)服 务器,用来实现SIM 卡上内容的及时更新、管理、统计等;
基于RFID的无线护理系统软件实现包括数据库和应用软件实现,其中数据库直接应用“军卫一号”HIS数据库中的相关表,包括患者主索引、医嘱表、价表等。需添加表为RFID标签与HIS数据库中患者ID号对照表和药品RF1D标签与医嘱对照表等。
NS4150优异的全带宽 EMI抑制能力
优异的“上电,掉电”噪声抑制
3W输出功率(5V电源、4Ω负载)
0.1%THD(0.5W输出功率、3.6V电源)
无需滤波器Class-D 结构
高达90%的效率
高PSRR:-80dB(217Hz)
低静态电流:3mA(3.6V电源、No load)
工作电压范围:3.0V~5.25V
过流保护、过热保护、欠压保护
MSOP8和SOP8封装NS4150应用插卡音箱
USB音箱
低压音响系统
96层NAND存储技术,DRAM也加速迈向1ynm;我国中芯国际也实现16/14nm工艺小规模量产,缩短与国外差距,长江存储、合肥长鑫和福建晋华也实现存储工艺突破,在做量产前准备。
长江存储在美国圣克拉拉召开的全球闪存峰会上发布突破性技术XtackingTM ,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。长江存储计划在2019年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。
12英寸FAN OUT工艺量产线,线宽2um/线距2um;Cu Pillar实现10nm产品的量产;成功研发生产出业界集成度最佳的射频物联网集成模块;国内首条12寸Gold Bump生产线成功实现量产。