摩托罗拉半导体部门、飞思卡尔、IBM、英飞凌、Cypress、瑞萨等业者，以及目前的DRAM三巨头三星、SK海力士与美光均曾陆续投入研发MRAM的行列。

独立MRAM供应商和GlobalFoundries 、台积电、三星、联电等晶圆代工厂商投身嵌入式 MRAM 的格局。

MRAM性能的提升，得益于磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）的隧穿磁阻（Tunnel Magnetoresistance，TMR）值不断提高。

基于TMR和巨大隧穿磁阻（Giant TRM，TMR＞100%）效应，总共衍生出两代主要的MRAM器件类型：第一代是磁场驱动型MRAM，即通过电流产生的磁场驱动存储单元的磁矩进行写入操作，典型代表有星型MRAM（astroid-MRAM）和嵌套型MRAM（toggle-MRAM）；第二代是电流驱动型自旋转移矩MRAM（Spin Transfer Torque MRAM，STT-MRAM），即通过极化电流对存储单元进行写入操作。

波长为13.5nm的光相比于现在主流光刻机用的193nm光源，新的EUV光源能给硅片刻下更小的沟道，从而能实现在芯片上集成更多的晶体管，进而提高芯片性能，继续延续摩尔定律。

使用13.5nm的EUV光刻（紫外线波长范围是10~400nm）用以取代现在的193nm。EUV本身也有局限，比如容易被空气和镜片材料吸收、生成高强度的EUV也很困难。EUV商用的话光源功率至少250瓦，Intel还曾说，他们需要的是至少1000瓦。除了光刻机本身的不足之外，对于EUV光刻机系统来说，光罩、薄膜等问题也有待解决。

7nm 节点后光刻技术从 DUV 转至 EUV，设备价值剧增。当前使用的沉浸式光刻技术波长 193nm（DUV，深紫外光），而当进行 7nm 以下节点制造时就需采用波长 13nm 的 EUV 光刻机。根据 ASML 公布的路线图。在EUV设备制造过程中，由于EUV波长仅13nm，没有合适介质进行精准折射，因而所有光路设计均采用反射的形式，设计更加复杂，对精度要求极高，制造难度极大。

RBxx8BM/NS200新产品为何能取代车载市场200V的FRD,低功耗、小型化,一直想取代（200V FRD）但是取代不了的原因是之前IR没有做下来，肖特基二极管生产工艺不会变，每家厂商都在改变材料以追求更高性能，本次200V产品的成功与罗姆半导体工程师们的反复试验是密不可分的。

ROHM已实现可在车载的高温环境下使用的耐压达150V的超低IR SBD RBxx8系列的量产，近年来，在48V轻度混合动力等驱动系统中，将电机和外围部件集成于1个模块的“机电一体化”已成为趋势技术，能够在高温环境下工作的高耐压、高效率SBD的需求日益高涨。而另一方面，在以往使用150V产品的系统中，高性能化和高可靠性要求越来越严格，因此要求SBD要具有更高的耐压性能。

肖特基的改善,降低IR 整个汽车除了电池电机没有电路之外，从摄像头开始一直到里面的主机逆变器全部都有肖特基的要求，车载和电源设备对高效肖特基的需求越来越多，但是和普通FRD相比，肖特基的IR又偏高。

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