单个2.5/3.3 V电源的片上稳压器特性
发布时间:2020/11/19 22:53:18 访问次数:1044
人数统计原型传感器整合了施耐德电气独有的超低功耗LYNRED ThermEyeTM系列热成像传感器,意法半导体最近推出的高性能STM32H723 MCU,以及基于Yolo的神经网络模型。
这项前景广阔的技术解锁一项新的楼宇居住率监测和人流量统计方案,适用于监测排队、建筑使用率、社交距离等多种应用场景。我们与ST合作开发的创新的演示原型不仅适用于酒店、办公室、百货零售等场所,也适用任何需要掌握人流量及空间使用率等情况的任何场景。这将重新定义未来建筑。
项目证明深度学习能够提升嵌入式数据处理性能,展示了如何在基于经济型微控制器的系统平台上运行高价值的应用软件。我们的STM32Cube.AI生态系统使用户能够在很短的时间内开发出灵活的解决方案,利用我们技术团队的支持服务克服工程挑战,客户可以享受更高的设计效率。
全新MachXO3D的主要特性包括:
该控制FPGA提供4K和9K查找表、用于实现上电时从器件闪存即时配置的逻辑
用于单个2.5/3.3 V电源的片上稳压器
支持最大2700 Kbit的用户闪存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式块RAM,让设计选择更加灵活
高达383个I/O,可配置为支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有热插拔、默认下拉、输入迟滞和可编程压摆率等功能的各类系统环境中
嵌入式安全模块,为ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全ID等加密功能提供预验证硬件支持
嵌入式安全配置引擎,可确保只安装可靠来源的FPGA配置
双片上配置存储器,可在发生故障时对组件固件进行重新编程

在ST Live Days上运行演示应用的STM32H723 MCU完全胜任运行AI应用,因为这款产品的内核性能优异,闪存容量高达1Mbyte,提供高速片外存储器接口,以及各种传感器接口。
NVG800A75L4DSC/D是用于汽车的750V 800A双面冷却的半桥功率模块,具有紧凑的占位面积.模块包括半桥配置的两个场截止式4(FS4) 750V窄台衬底IGBT.芯片组采用新的窄台衬底IGBT技术,以提高大电流密度和强健的短路保护能力和更高的阻断电压,为电动汽车(EV) 牵引动力提供杰出的性能.器件集成了芯片级温度和电流传感器,连续工作温度Tvj max = 175C.具有超低的寄生电感和低VCESAT和开关损耗,采用汽车级FS4和快速二极管芯片技术,DBC衬底隔离4.2kV,具有AEC资质和生产件批准程序(PPAP).主要用在混合和电动汽车牵引动力逆变器和大功率DC/DC转换器.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
人数统计原型传感器整合了施耐德电气独有的超低功耗LYNRED ThermEyeTM系列热成像传感器,意法半导体最近推出的高性能STM32H723 MCU,以及基于Yolo的神经网络模型。
这项前景广阔的技术解锁一项新的楼宇居住率监测和人流量统计方案,适用于监测排队、建筑使用率、社交距离等多种应用场景。我们与ST合作开发的创新的演示原型不仅适用于酒店、办公室、百货零售等场所,也适用任何需要掌握人流量及空间使用率等情况的任何场景。这将重新定义未来建筑。
项目证明深度学习能够提升嵌入式数据处理性能,展示了如何在基于经济型微控制器的系统平台上运行高价值的应用软件。我们的STM32Cube.AI生态系统使用户能够在很短的时间内开发出灵活的解决方案,利用我们技术团队的支持服务克服工程挑战,客户可以享受更高的设计效率。
全新MachXO3D的主要特性包括:
该控制FPGA提供4K和9K查找表、用于实现上电时从器件闪存即时配置的逻辑
用于单个2.5/3.3 V电源的片上稳压器
支持最大2700 Kbit的用户闪存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式块RAM,让设计选择更加灵活
高达383个I/O,可配置为支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有热插拔、默认下拉、输入迟滞和可编程压摆率等功能的各类系统环境中
嵌入式安全模块,为ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全ID等加密功能提供预验证硬件支持
嵌入式安全配置引擎,可确保只安装可靠来源的FPGA配置
双片上配置存储器,可在发生故障时对组件固件进行重新编程

在ST Live Days上运行演示应用的STM32H723 MCU完全胜任运行AI应用,因为这款产品的内核性能优异,闪存容量高达1Mbyte,提供高速片外存储器接口,以及各种传感器接口。
NVG800A75L4DSC/D是用于汽车的750V 800A双面冷却的半桥功率模块,具有紧凑的占位面积.模块包括半桥配置的两个场截止式4(FS4) 750V窄台衬底IGBT.芯片组采用新的窄台衬底IGBT技术,以提高大电流密度和强健的短路保护能力和更高的阻断电压,为电动汽车(EV) 牵引动力提供杰出的性能.器件集成了芯片级温度和电流传感器,连续工作温度Tvj max = 175C.具有超低的寄生电感和低VCESAT和开关损耗,采用汽车级FS4和快速二极管芯片技术,DBC衬底隔离4.2kV,具有AEC资质和生产件批准程序(PPAP).主要用在混合和电动汽车牵引动力逆变器和大功率DC/DC转换器.
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