一款CPU中包含上亿个晶体管，而一个单独的晶体管大致结构是这样的：

两个晶体管，但代表的是两种工艺左侧为Planar FET,右侧为当前主流的FinFET工艺，都可以作为参考

晶体管结构中，“Gate（栅极）”可以看做是“闸”，主要负责控制两端Source（源极）和Drain（漏级）的通断，电流从源极流入漏极，而这时的栅极的宽度决定了电流通过时的损耗，表现出来就是发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的宽度（栅长），就是XX nm制程中的数值。对于芯片制造商而言，自然是力求栅极宽度越窄越好，也就是制程越小越好，这样就会减小功耗。

制程越小，芯片组件之间的间距就越小，可以排布在芯片上的元器件就可以更多，单位芯片面积上的晶体管越多，性能就越高，且这时候晶体管之间的电容也会更低，从而能够提升它们的开关频率。

高通还积极联合OEM厂商们推动骁龙5G设备终端的商用落地，例如今年1月25日，高通就联合联想、OPPO、vivo、小米、中兴、以及闻泰等公司宣布了5G领航计划，结合各自的领先优势探索5G带来的全新移动应用和体验，同时也将专注于其他变革性技术，例如人工智能（AI）和物联网（IoT），从而继续驱动全球技术演进和行业变革。

面向智能手机和其他移动终端的全集成5G新空口（5G NR）QTM052毫米波天线模组及QPM 56xx 6GHz以下射频模组。这两款射频模组的推出有着重要意义，它们配合骁龙X50 5G调制解调器的解决方案，意味着移动5G网络和终端，尤其是智能手机准备就绪，为实现大规模商用提供支持。特别值得一提的是，在QTM052毫米波天线模组中，高通克服了毫米波在实际运用方面的很多天生缺陷，成功将其应用在可大规模商用的小面积天线模组中，在此之前这是行业的难点，而高通通过自身的创新和努力证明了正5G连接技术方面的领先实力。

Mali-G72和PowerVR，还有英特尔的Gen9.5 HD615。而在GFXBench的帧率测试中，Adreno 630的测试成绩也明显优于市面上同类竞品。

最近两年的骁龙旗舰移动平台上，Adreno GPU已经在手机端已经基本上难觅对手，今年推出的诸多游戏手机，也均直接采用骁龙845移动平台，抛开游戏手机在外观以及定制的周边配置来说，很多采用满血骁龙845移动平台的手机其实某种程度上拥有和“游戏手机”媲美的“快、顺、久、酷、智”的游戏体验，这其实也是对骁龙845 Adreno GPU的肯定。

骁龙Adreno GPU的性能和能效表现为何能够一骑绝尘，具体还有很多领先的技术特性，例如Adreno GPU都支持统一渲染模型，计算单元同时支持定点着色器和片段着色器，从而充分利用系统资源，灵活分配，此外还有更早进行深度测试机制，提前剔除无需着色的像素，提高效率等等。

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