微处理器完成数据采集与控制指令的发出，电磁耦合阵列与接收线圈之间形成电磁耦合，接收线圈通过桥式整流器将接收到的交流信号进行整流。A/D转换器将整流后的直流电压送入微处理器进行分析与处理，最后由微处理器送出控制指令。电磁耦合阵列电气连接。

能量的损耗主要包括线圈、开关损耗及电磁耦合过程中的磁泄漏。可以通过软件控制合适的载波频率和合适的死区时间来减小开关损耗，耦合损耗是系统能耗的主要部分，因为磁场传输介质中包括磁导率很低的空气磁路段，造成感应效率较低。

在电磁耦合阵列中输入10 kHz~40 kHz的高频信号传输磁场和发送能量。多个发送线圈采用水平的环形排列，使得任何用电设备在任何位置，朝任何方向，总有一个发送线圈与用电设备的接收线圈接近于全耦合。

标准包装：2,000类别：分立半导体产品家庭：晶体管（BJT） - 单路系列：-包装：带盒（TB）晶体管类型：PNP电流 - 集电极（Ic）（最大值）：800mA电压 - 集射极击穿（最大值）：25V不同?Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）：700mV @ 50mA，500mA电流 - 集电极截止（最大值）：100nA不同?Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：250 @ 100mA，1V功率 - 最大值：625mW频率 - 跃迁：100MHz安装类型：通孔封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3

发射回路和接收回路的补偿电容C1和C2为41 nF，系统谐振频率为160 kHz。为减小输出电压纹波，选择电容Co为220 μF，控制周期Tc为0.2 ms。逆变器采用两个氮化镓半桥功率器件LMG5200构成，续流二极管D1~D4采用型号为SR260的肖特基二极管，整流二极管D5~D8采用型号为SS34的肖特基二极管。

发射回路控制芯片采用STM32F103微处理器，霍尔电压和电流传感器的型号分别为HVS-AS5-5mA和HNC06LTS，为简化实验，采用线性隔离光耦HCNR200代替无线通信反馈信号。

采用能量注入和移相恒压控制方法的无线电能传输系统的实验波形，输出功率20 W和5 W条件下系统的输出电压Uo和电流Io实验波形，在不同负载的情况下，系统都能稳定地输出24 V的期望电压，并且在负载电阻跳变时，输出电压能够在20 ms内快速回归到期望值。

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