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低动态电阻和低钳位电压特性

发布时间:2020/9/18 22:53:00 访问次数:899

生产CEZ、CUZ、MUZ、MSZ四个系列的24款齐纳二极管产品。这些产品可防止半导体器件受开关浪涌、感应雷电过压[1]以及静电放电(ESD)[2]影响。

电路开关时,设备电源线内可产生电压高达数千伏、脉冲宽度达毫秒级的开关浪涌电压。这些新产品不仅能防止半导体器件受操作过压以及接近直流频率的过压影响,还可使半导体器件不受宽度达数百纳秒的静电放电(ESD)[2]和微秒级脉冲宽度的感应雷电过压[1]的影响。此外,凭借低动态电阻和低钳位电压等特性,这类产品还可通过吸收浪涌降低半导体器件上的外施电压,从而提高设备可靠性。

上述产品对应的齐纳电压范围为5.6V-24V(典型值),适用于绝大多数电源线,这些产品有四种封装形式。该产品线共有24款产品,可用于各种配电线路和安装区域。

根据IEC61000-4-5标准,tp=8/20μs

根据IEC61000-4-2

特性

可防止脉冲宽度从微秒级到毫秒级不等的浪涌影响。

低动态电阻

低钳位电压

范围较宽的电压产品线:VZ(典型值)=5.6V至24V

各种规格的封装产品线:四种通用封装方式

应用

消费类设备(家用电器、办公自动化设备、电源等)

工业设备(电源等)


全新N沟道功率MOSFET驱动器IC,能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计,可适用于直流泵(制动、油、水和燃料)、空调系统(HVAC)、螺线管和致动器等设计。这些器件特别适合于必须满足ASIL要求的汽车系统,与Allegro A2SIL™系列中其他产品一样,A4926和A4927都集成有足够多的功能来完善系统设计,帮助用户实现所需的ASIL等级要求。

A4926和A4927集成有独特的电荷泵稳压器,能够针对大多数应用提供完整的门驱动,即便是在电池电压低至5.5V时。它们带有可选自举管理的自举电容器,可用于提供N沟道MOSFET所需的高于电池的电源电压。半桥可以由独立的逻辑电平输入或兼容SPI的串行接口来进行控制。外部功率MOSFET通过可编程的死区来保护,以避免发生击穿(shoot-through)。

(素材:eccn.如涉版权请联系删除)

生产CEZ、CUZ、MUZ、MSZ四个系列的24款齐纳二极管产品。这些产品可防止半导体器件受开关浪涌、感应雷电过压[1]以及静电放电(ESD)[2]影响。

电路开关时,设备电源线内可产生电压高达数千伏、脉冲宽度达毫秒级的开关浪涌电压。这些新产品不仅能防止半导体器件受操作过压以及接近直流频率的过压影响,还可使半导体器件不受宽度达数百纳秒的静电放电(ESD)[2]和微秒级脉冲宽度的感应雷电过压[1]的影响。此外,凭借低动态电阻和低钳位电压等特性,这类产品还可通过吸收浪涌降低半导体器件上的外施电压,从而提高设备可靠性。

上述产品对应的齐纳电压范围为5.6V-24V(典型值),适用于绝大多数电源线,这些产品有四种封装形式。该产品线共有24款产品,可用于各种配电线路和安装区域。

根据IEC61000-4-5标准,tp=8/20μs

根据IEC61000-4-2

特性

可防止脉冲宽度从微秒级到毫秒级不等的浪涌影响。

低动态电阻

低钳位电压

范围较宽的电压产品线:VZ(典型值)=5.6V至24V

各种规格的封装产品线:四种通用封装方式

应用

消费类设备(家用电器、办公自动化设备、电源等)

工业设备(电源等)


全新N沟道功率MOSFET驱动器IC,能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计,可适用于直流泵(制动、油、水和燃料)、空调系统(HVAC)、螺线管和致动器等设计。这些器件特别适合于必须满足ASIL要求的汽车系统,与Allegro A2SIL™系列中其他产品一样,A4926和A4927都集成有足够多的功能来完善系统设计,帮助用户实现所需的ASIL等级要求。

A4926和A4927集成有独特的电荷泵稳压器,能够针对大多数应用提供完整的门驱动,即便是在电池电压低至5.5V时。它们带有可选自举管理的自举电容器,可用于提供N沟道MOSFET所需的高于电池的电源电压。半桥可以由独立的逻辑电平输入或兼容SPI的串行接口来进行控制。外部功率MOSFET通过可编程的死区来保护,以避免发生击穿(shoot-through)。

(素材:eccn.如涉版权请联系删除)

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