富士通电子在过去约20年量产各种FRAM非易失性内存产品，具备比EEPROM及闪存更高的读∕写耐久性、高速写入速度及超低功耗。近几年来，这些产品被广泛应用于可穿戴装置、工业机器人与无人机。

拥有2Mbit密度的产品采用SPI接口，支持从1.8v至3.6v的宽电压范围，且运作耐热度可高达摄氏125度；即使在这样的高温环境也能保证10兆次的读∕写次数，相当于EEPROM的一千万倍；最高运作频率则达到50 MHz，比现有产品快1.5倍。此外，这些产品的可靠性测试符合AEC-Q100 Grade 1标准，达到被称为“汽车级”产品的认证标准。

FRAM采用业界标准8-pin SOP封装，使其能轻松取代现有类似脚位的EEPROM产品。此外，也提供拥有8-pin DFN（Dual Flatpack Non-leaded）的封装。

富士通电子持续为IC卡、工业机械与消费性装置提供数据写入效能高于EEPROM的FRAM产品。能在最高摄氏125度环境下运作的FRAM产品自2017年起就已经量产，因此这类FRAM逐渐被广泛应用在需要在高温下维持运作与高可靠性的汽车及工业机械市场。此次富士通电子研发并推出最大容量的2 Mbit产品，借此强化可运作于高达125度的FRAM产品阵容。

制造商:Toshiba产品种类:MOSFETRoHS:

技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:9.7 ARds On-漏源导通电阻:380 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:20 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:30 W通道模式:Enhancement商标名:封装:Tube配置:Single

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Toshiba

下降时间:8.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:150 ns

典型接通延迟时间:60 ns

单位重量:1.700 g

主要特性和功能：

高达 5.0 GHz 的全核睿频频率以及高达 4.0 GHz 的基础频率，在游戏使用多核时获得更高的帧速率，实现更畅快的游戏体验

拥有8核心16 线程、127W TDP、16 MB 英特尔智能缓存和多达 40 个平台 PCIe 通道

兼容现有的 Z390 主板

与 3 年前的 PC 相比，同时进行游戏、直播和录制的多任务处理速度可提高 27%2

与 3 年前的 PC 相比，全面战争三国游戏帧数最高增加 35%3

与上一代相比，4K 视频编辑速度加快 17% 4；

与 3 年前的 PC 相比，4K 视频编辑速度最高提高78% 5

1年保修6

包括英特尔 Performance Maximizer在内的全新增强特性能够让超频1更自如，该功能根据处理器内在性能，能够轻松可靠地进行动态调整这款未锁频处理器的性能

(素材：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除）