N系列1200V碳化硅 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该产品功率损耗低且自接通耐受性高，还可以帮助降低功耗，实现电动汽车（EV）车载充电器、光伏电力系统等供电系统（需要转换高压）的小型化。

产品特点：

降低功耗，实现供电系统的小型化

结型场效应晶体管（JFET）掺杂技术既降低了1200V SiC-MOSFET的开关损耗和导通电阻，还让其达到行业领先的品质因数（FOM）——1,450mΩ·nC。与采用传统的硅绝缘栅门极晶体管（Si-IGBT）相比，用于供电系统的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了约85%。

通过降低镜面电容（在MOSFET结构中，栅极和漏极之间存在的杂散电容），与竞争对手的产品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。可实现快速的开关操作，降低开关损耗。

由于降低了开关功率损耗，通过驱动具有更高载频的功率半导体，得以实现冷却系统及周边部件（如反应器）的小型化和简单化，从而有助于降低整个供电系统的成本的尺寸。

超级电容器的功率密度高、充放电速率高、循环寿命长且具有成本效益，是一种前景很好的电源，适用于移动和可穿戴电子设备、电动汽车等产品。让超级电容器结合高能量密度、安全性和生态友好性等特性，以让其适用于小型设备相当具有挑战性。

超级电容器会使用有机溶剂来增加能量密度，但是此类溶剂很危险，不环保，与具有更高导电性的水系电解质相比，还会降低功率密度。

超级电容器原型的体积电容性能、高能量密度和功率密度。我们打造了一个超级电容器原型，经过1000次的拉伸循环后，拉伸率小于50%时，性能没有发生改变。为了确保更低的成本以及更好的环境效益，我们采用了基于氯化钠（NaCl）的电解质。此外，利用3D打印或其他先进制造技术则可以进一步降低该电容器的制造成本。

ISO 16750-2 主要介绍来自低阻抗源的长脉冲。这些瞬变无法轻松过滤，通常需要使用基于稳压器的主动式解决方案。一些更具挑战性的测试包括：负载突降（测试 4.6.4）、电池反接（测试 4.7）、叠加交变电压测试（测试 4.4），以及发动机启动工况（测试 4.6.3）。这些测试脉冲的视图。ISO 16750-2 中所示条件的差异性，加上 ECU 对电压和电流的要求，通常需要合并使用这些方案，以满足所有要求。

负载突降（ISO 16750-2：测试 4.6.4）属于严重的瞬态过压，模拟电池断开，但交流发电机提供大量电流的情况。负载突降期间的峰值电压被分为受抑制电压或未受抑制电压，由 3 相交流发电机的输出是否使用雪崩二极管来决定。受抑制的负载突降脉冲限制在 35 V，不受抑制的脉冲峰值范围则为 79 V 至 101 V。无论是哪种情况，因为交流发电器定子绕组中存储了大量电磁能量，所以可能需要 400 ms 进行恢复。虽然大部分汽车制造商使用雪崩二极管，但随着人们对可靠性的要求不断增高，使得一些制造商要求 ECU 的峰值负载突降电压必须接近未受抑制情况下的电压。