有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101规格的型号，适用于各种应用

N系列1200V SiC-MOSFET产品包括符合美国汽车电子委员会AEC-Q101规格的型号，因此，该产品不仅适用于光伏系统等工业应用，也可用于电动汽车车载充电器。

小尺寸、低功耗、工作温度范围宽、工作稳定的特点，在支持eSIM的基础上，还支持最新的3GPP Release14标准，并且还支持FOTA功能，能够在“电车卫士”安装后进行远程固件升级，极为便利。

添加瞬变电压抑制器（TVS）二极管，从局部箝位 ECU 电源。更紧凑、容差更严格的方法则是使用主动浪涌抑制器，例如 LTC4364，该抑制器以线性方式控制串接的 N 通道 MOSFET，将最大输出电压箝位至用户配置的水平（例如，27 V）。浪涌抑制器可以帮助断开输出，支持可配置限流值和欠压锁定，且可使用背靠背 NFET 提供通常需要的反向电池保护。

对于线性稳压功率器件，例如浪涌抑制器，存在的隐患在于，在负载突降期间限制输出电压，或者在短路输出期间限制电流时，N 通道 MOSFET 可能功耗较大。功率 MOSFET 的安全工作区域（SOA）限制最终会限制浪涌抑制器能够提供的最大电流。它还给出了在 N 通道 MOSFET 必须关闭，以避免造成损坏之前，必须保持稳压的时长限制（通常使用可配置定时器引脚设置）。这些 SOA 导致的限制随着工作电压升高变得更加严重，增加了浪涌抑制器在 24 V 和 48 V 系统中使用的难度。

更具扩展性的方法使用降压稳压器，该稳压器可在 42 V 输入下运行，例如 LT8640S。开关稳压器与线性稳压器不同，并无 MOSFET SOA 限制，但显然它更加复杂。降压稳压器的效率支持实施大电流操作，其顶部开关则允许输出断开，并支持电流限制。至于降压稳压器静态电流问题，已由最新一代器件解决，这些器件仅消耗几微安电流，在无负载条件下也保持稳压。通过使用 Silent Switcher®技术和展频技术，开关噪声问题也得到大幅改善。

降压稳压器能按 100%占空比运行，保证顶部开关持续开启，通过电感将输入电压传输到输出。在过压或过流条件下，会触发开关操作，以分别限制输出电压或电流。这些降压稳压器（例如 LTC7862）作为开关浪涌抑制器使用，实现低噪声、低损耗操作，同时保持开关模式电源的可靠性。

带通解决方案将窗口中 8 V 和 17 V 的输入传输至输出。当输入电压高于带通窗口时，LT8210 将该电压降低至经过调节的 17 V 输出。如果输入降低至低于 8 V，LT8210 将输出电压升高至 8 V。如果电流超过电感限流或设置的平均限流（通过 IMON 引脚），作为保护特性在带通窗口中触发开关操作以控制电流。

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