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二极管的伏安特性曲线

发布时间:2020/9/3 23:59:40 访问次数:1836

电子管怕振动,所以采取防震措施尽量避免振动也是很重要的。若做到这两点,电子管的使用寿命至少可提高一倍。电子管设备的周围要有适当的空间,尤其是它的上方,以便有良好的对流通风,可能的话可用风扇帮助散热。

电子管阴极在尚未达到要求温度即加上高压电源时,它的阴极将受到损害,同样会缩短电子管寿命。所以电子管设备若有预热装置的话,一定要使用,例如先开灯丝低压电源预热,后开高压电源。假如没有预热装置,那你不要急着将输入信号接入,可将音量关到最小,待先开机20~30分钟进行温机再使用。如果使用旁热式整流管供给整机高压,那正好提供了简单又有效的高压延时。另外,在正常使用时,不要频繁开关电源。

如果对电子管电路进行正确的设计,避免错误运用,就能使电子管不致“英年早逝”,电子管使用数以千计的聆听时数应是正常的。电路设计中最常见的错误有电子管灯丝与阴极间的电位差过高、电子管屏极或帘栅极电压运用至最大值、电子管灯丝电压过低或过高、电子管安装位置不当造成电极过热及高压电源没有延时装置等。

半导体二极管的反向 伏安特性曲线说明如下:

当U<0时,即处于反向特性区域。反向区分为两个区域:

当U BR<U<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流I S。

当U≥U BR时,反向电流急剧增加,U BR称为反向击穿电压(Breakdown voltage)。

在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。

二极管伏安特性曲线商道纵横事关注2020-03-31 08:14电路板样板,品类齐全,你生活的好帮手,亚洲优质购物平台,亿万优质单品任你选.5万多商户授权专卖,品质保证.专业功放板,与时尚接轨,高品质护航.5万多商户授权专卖,品质保证.电子管功放,与时尚接轨,高品质护航.二极管的伏安特性曲线如图1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线,处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导,二极管的伏安特性曲线可用下列公式表示:

式中I S为反向饱和电流,U为二极管两端的电压降,U T=kT/q称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q为电子电荷量,T为热力学温度。对于室温(相当于T=300 K),则有U T=26 mV。

正向特性

二极管的正向伏安特性曲线说明如下:

当U>0,即处于正向特性区域。正向区又分为三段:

第一段,当0<U<U th时,正向电流为零,U th称为死区电压或开启电压。

第二段,当U>U th,且U较小时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。见图1中的曲线的第2段。

第三段,当U>U th,且U较大时,正向电流增长很快,且正向电压随正向电流增长而增长很小。对应在图1中,正向曲线很陡的第3段。

硅二极管的死区电压U th?0.4 V左右,锗二极管的死区电压U th?0.1 V左右。

正向特性曲线第3段对应的正向电压可以认为基本不变,对于硅二极管的正向电压U D?0.7~0.8V左右,锗二极管的正向电压U D?0.3~0.4V左右。


(素材:21ic和ttic.如涉版权请联系删除)





电子管怕振动,所以采取防震措施尽量避免振动也是很重要的。若做到这两点,电子管的使用寿命至少可提高一倍。电子管设备的周围要有适当的空间,尤其是它的上方,以便有良好的对流通风,可能的话可用风扇帮助散热。

电子管阴极在尚未达到要求温度即加上高压电源时,它的阴极将受到损害,同样会缩短电子管寿命。所以电子管设备若有预热装置的话,一定要使用,例如先开灯丝低压电源预热,后开高压电源。假如没有预热装置,那你不要急着将输入信号接入,可将音量关到最小,待先开机20~30分钟进行温机再使用。如果使用旁热式整流管供给整机高压,那正好提供了简单又有效的高压延时。另外,在正常使用时,不要频繁开关电源。

如果对电子管电路进行正确的设计,避免错误运用,就能使电子管不致“英年早逝”,电子管使用数以千计的聆听时数应是正常的。电路设计中最常见的错误有电子管灯丝与阴极间的电位差过高、电子管屏极或帘栅极电压运用至最大值、电子管灯丝电压过低或过高、电子管安装位置不当造成电极过热及高压电源没有延时装置等。

半导体二极管的反向 伏安特性曲线说明如下:

当U<0时,即处于反向特性区域。反向区分为两个区域:

当U BR<U<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流I S。

当U≥U BR时,反向电流急剧增加,U BR称为反向击穿电压(Breakdown voltage)。

在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。

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式中I S为反向饱和电流,U为二极管两端的电压降,U T=kT/q称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q为电子电荷量,T为热力学温度。对于室温(相当于T=300 K),则有U T=26 mV。

正向特性

二极管的正向伏安特性曲线说明如下:

当U>0,即处于正向特性区域。正向区又分为三段:

第一段,当0<U<U th时,正向电流为零,U th称为死区电压或开启电压。

第二段,当U>U th,且U较小时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。见图1中的曲线的第2段。

第三段,当U>U th,且U较大时,正向电流增长很快,且正向电压随正向电流增长而增长很小。对应在图1中,正向曲线很陡的第3段。

硅二极管的死区电压U th?0.4 V左右,锗二极管的死区电压U th?0.1 V左右。

正向特性曲线第3段对应的正向电压可以认为基本不变,对于硅二极管的正向电压U D?0.7~0.8V左右,锗二极管的正向电压U D?0.3~0.4V左右。


(素材:21ic和ttic.如涉版权请联系删除)





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