实际峰值相反，但最小输入电压的有效峰值电流还是高于最大输入电压的有效峰值电流。有效最大电流（包括最小输入电压的下降电流）的峰值为33.9A，其为设置电流检测电阻器Rs必须使用的值。该电流（包括转变为一次电流的下降电流）为5.658A。 选作控制器的IC拥有1.0V的典型电流自动切断电平，但容差值在0.9到1.1V之间。要确保所有单元都能提供要求的功率，需使用下限，并设定Rs值，以便让5.658A时它的电压为0.9V最小值的95%。这样便可实现5%的瞬态安全余量，并将Rs设定在0.15Ω。当然，会有5W左右的功率损耗，其最有可能由一个电流变压器产生。使用一个100：1的变压器时，Rs可能会增加至15Ω。假设使用这样一个变压器。

每次二极管整流反向结构升级对实际设计效率的提升程度。电源将一个远距通信 48VDC 输入转换为一个 3.5A 最大负载电流的 3.3V 输出。将一个二极管整流器转换为一个自驱动同步反向结构使最大负载效率提高超过 7%，但也确实降低了 1A 以下输出电流的轻负载效率。这是由于同步 MOSFET 带来了栅极驱动损耗、开关损耗和直通损耗。

轻负载状态下这些损耗在总损耗中占较大百分比，从而降低了轻负载的效率。使用可编程延迟消除了直通损耗，从而极大地提高了轻负载的效率．由于其他电路损耗在同步 MOSFET 损耗中占主导地位，因此满负载效率保持基本不变。有源钳位的实施提高了所有负载条件下 3.3V 电源的效率。

有源钳位电路中两种不同的延迟设置，以及它们是如何影响不同负载条件下的效率的。由较大 Rdel 电阻值编程获得的较长延迟时间降低了轻负载直通损耗，从而极大地提高了轻负载效率。但是，这种长延迟时间同时也增加了同步 MOSFET 主体二极管的传导时间，使满负载条件时的效率降低了 1% 左右。使用较低值 Rdel 后，满负载同步 MOSFET 主体二极管传导损耗在直通损耗中占主导地位。

也许必须经由选取合适的 Rdel 值来选择是使轻负载效率最大化，还是让最大负载效率最大化。有源钳位反向电源运用了所有这些效率提升方法。这种结构使最大负载的效率提高大约 10%，并且拥有和原始二极管整流设计差不多一样的轻负载效率性能。