射频信号源的频率合成电路，还包括电阻R22，电阻R22一端与芯片ADF4351的复位引脚RSET连接，其另一端接地。电阻R22连接在复位引脚RSET可设置电荷泵输出电流。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：新型利用芯片ADF4351的优势，使得频率合成器的带宽增加，提高频率源的效率，使频率源更稳定的工作；利用芯片ADF4351设计的频率合成器还具有体积小、功耗低的特点。

用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。

基于射频信号源的频率合成电路，包括芯片ADF4351、电阻R19、电阻R23、电阻R24、电容C31、电容C33、电容C38、发光二极管LED，电阻R19一端与发光二极管LED的阳极连接，其另一端与芯片ADF4351的锁定检测输出引脚LD连接，所述发光二极管LED的阴极接地，芯片ADF4351的信号经过锁定检测输出引脚LD通过电阻R19输出；所述芯片ADF4351的电荷泵输出引脚CPout、电阻R23、电容C38 依次连接，且电容C38相对于与电阻R23连接的另一端接地；所述芯片ADF4351的电荷泵输出引脚CPout、电容C31、电阻R24依次连接，且电阻R24相对于与电容C31连接的另一端接地，电容C33一端与芯片ADF4351的电荷泵输出引脚CPout连接，其另一端接地。

基于射频信号源的频率合成电路，还包括电阻R22、电容C24、电容C25、电容C26、电容C28、电容C30、电容C32，电阻R22一端与芯片ADF4351的复位引脚RSET连接，其另一端接地；所述电容C24一端与芯片ADF4351的基准电压引脚Vref连接，其另一端接地，电容C25并联在电容C24两端；所述电容C26一端与芯片ADF4351的内部补偿节点引脚Vcom连接，其另一端接地，电容C28并联在电容C26两端；电容C30一端与芯片ADF4351的温度补偿输出引脚TEMP连接，其另一端接地，电容C32并联在电容C30两端。

芯片ADF4351的VCO输出引脚RFOUTa+、电容C40、电阻R26依次连接，电阻R26相对于与电容C40连接的另一端接地，接口P2一端连接在电阻R26与电容C40连接的线路上，其另一端接地；芯片ADF4351的互补VCO输出引脚RFOUTa-、电容C41、接口P3依次连接，接口P3相对于与电容C41连接的另一端接地。

芯片ADF4351是锁相环芯片，它具有一个集成电压控制振荡器（VCO），其基波输出频率范围为2200MHz至4400MHz，此外，还可以利用1/2/4/8/16/32/64分频电路，产生低至35MHz的RF输出频率，并且可以调整内部分频器数值和输出功率高低，而且锁相环芯片还有一个锁定检测输出引脚LD，通过对此端口的配置可以检测锁相环芯片的内部工作状态，对芯片配置完成之后，重新加电可以使频率合成器正常工作。

使用的元器件规格如下：电容C19-1nF；电容C20-1nF；电容C21-10pF；电容C24-0.1uF；电容C25-10pF；电容C26-0.1uF；电容C28-10pF；电容C30-0.1uF；电容C32-10pF；电容C31-2.55nF；电容C33-188pF；电容C38-85.5pF；电容C40-1nF；电容C41-1nF；电容C42-0.1uF；电容C43-0.1uF；电容C44-0.1uF；电容C45-0.1uF；电阻R16-10k欧姆；电阻R18-51欧姆；电阻R19-1k欧姆；电阻R22-4.7k欧姆；电阻R23-1.78k欧姆；电阻R24-874欧姆；电阻R26-51欧姆；电感L2-3.9nH；电感L3-3.9nH；接口P1-SMA接口；接口P2-SMA接口；接口P3-SMA接口。

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