基本应用

小功率电源适配器

蜂窝电话充电器

数码相机充电器

电脑和服务器辅助电源

替代线性调整器和RCC

简化内部电路结构图

参数值单位

DRAIN 引脚电压 -0.3 to BVdss V

VDD 引脚电压 -0.3 to 24 V

CS/INV 引脚电压 -0.3 to 7 V

最小/最大结温 -40 to 150 ℃

储藏温度 -50 to 155 ℃

DIP-8L/SOP-7L 焊接温度 (10 秒) 260 ℃

推荐工作环境

封装 230VAC ±15% 85-265VAC

开放式 1 开放式 1

CR6345 SOP-7L ≤7W ≤6W

CR6347 SOP-7L ≤9W ≤8W

CR6348 DIP-8L ≤15W ≤13W

5G的兴起，将带来手机、可穿戴设备、汽车等应用的繁荣。与此相对应，只有沙粒大小的eSIM（嵌入式用户识别模块）卡将兴盛，取代传统的SIM（用户识别模块）卡。最新的eSIM非常小，只有1.28×1.27毫米见方，掉到地上很难找到；但别小看它，其未来应用将无所不在。

据英飞凌科技安全互联系统事业部大中华区物联网安全产品线区域市场经理刘彤女士介绍，物联网的上云或云连接主要有几种方式：通过Wi-Fi、蓝牙以及蜂窝网络连接等。根据爱立信最新的数据分析预测，到2022年约有70%以上的广域物联网设备连接将使用蜂窝网络技术。这是由于蜂窝网络有一些优势：相对于Wi-Fi和蓝牙，它可以在较远的距离、大的范围和公众的开放区域使用。

现在世界各地的运营商都在进行5G建设，我国目前处于前沿位置。5G采用高频、短波技术，因而有更快的传输速度和更宽的带宽，除此之外，5G还有2个重要特性。

开放式应用实际最大功率必须保证足够的 Drain 散热面积，测试条件 50℃环境温度。增加散热面积或风冷来减小热阻可以获得更高的输出功率。

电气特性（VDD=16V, TA=25℃ 除了另作说明）

符号参数测试条件最小典型最大单位

电源电压（VDD 引脚）

IST VDD 启动电流 VDD=15V 5 15 μA

IOP 工作电流 VINV=3V 0.8 1.0 mA

UVLO_ON 导通阈值电压 7.0 7.6 8.2 V

UVLO_OFF 关断阈值电压 15.8 16.8 17.8 V

VDD_OVP VDD OVP 触发电压 CS=0V,INV=3V 23 25 27 V

电流检测引脚(CS Pin)

TLEB LEB 时间 300 ns

TD_OC 过流检测控制延时 100 ns

VTH_OC_MIN 最小 OCP 过功率阈

值电压 485 500 515 mV

VTH_OC_MAX 最大 OCP 过功率阈

值电压 580 mV

TON_MAX 最大开启时间 50 μs

INV 引脚

VINV_REF 反馈环路 INV 阈值

电压 2.475 2.5 2.525 V

TPAUSE_MIN 最小关断时间 2 μs

F_MIN 最小频率 380 440 500 Hz

ICOMP_MAX 最大线补电流 42 45 48 μA

VOUT_OVP 输出过功率阈值电压 2.9 3.0 3.1 V

功率 MOSFET

BVdss MOSFET 漏源击穿

电压 VGS=0V, IDS=250μA 600 V RDS_ON*

MOSFET 漏源静态 导通电阻 VGS=10V IDS=0.5A CR6345 SOP-7L 9 11 ohm

VGS=10V IDS=1.0A CR6347 SOP-7L 5.5 6.5 ohm

VGS=10V IDS=1.0A CR6348 DIP-8L 4.5 5.0 ohm

过温保护

OTP_TH 过温保护 160 ℃

OTP_REC 恢复温度 130 ℃

集成化功率 MOSFET 的内阻和封装形式、散热、环境温度都有关系，值为室温下分立封装的 MOSFET 内阻。

(素材来源：1688和eepw.如涉版权请联系删除。特别感谢）