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MEMS倾斜传感器NOR闪存集成电路

发布时间:2020/8/26 20:52:07 访问次数:892

IIS2ICLX可以准确地测量倾斜度和振动,帮助评估人员分析高楼等高耸建筑物和桥梁或隧道等基础设施的结构完整性。与采用早期的较昂贵的探测技术的结构健康监测传感器相比,价格适中的电池供电的基于IIS2ICLX的MEMS倾斜传感器能够对更多结构进行安全监测。

许多高精度测斜仪是单轴测量设备,而2轴IIS2ICLX加速度计却可以检测两个坐标轴与水平面的倾斜角(俯仰角和翻转角),或者将两个坐标轴合并成单轴,测量物体与水平面单一方向的倾斜角,可重复测量精度和分辨率更高,可测量±180°范围内的倾角。数字输出可以节省外部数模转换或滤波器件,简化系统设计,降低物料清单(BOM)成本。

简化IIS2ICLX的开发设计,加快应用开发周期,意法半导体还提供了专门的传感器校准和倾斜角实时计算软件库,这些软件库属于STM32Cube的X-CUBE-MEMS1扩展软件包。

IIS2ICLX采用5mm x 5mm x 1.7mm的高性能陶瓷腔LGA封装,工作温度范围-40°C至+105°C 。现在可提供样片。

制造商

Texas Instruments

制造商零件编号

TL494IN

描述

IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 16DIP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

详细描述 降压-升压-反激-正激转换器-全桥-半桥-推挽-稳压器-正-输出-升压-降压-升压-降压-DC-DC-控制器-IC-16-PDIP

输出类型 晶体管驱动器

功能 升压,降压,升压/降压

输出配置 正

拓扑 降压,升压,反激,正激转换器,全桥,半桥,推挽

输出数 2

输出阶段 1

电压 - 电源(Vcc/Vdd) 7V ~ 40V

频率 - 开关 1kHz ~ 300kHz

占空比(最大) 45%

同步整流器 无

时钟同步 无

串行接口 -

控制特性 空载时间控制,频率控制

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装 16-PDIP

推出的容量为4 Mb的EEPROM是目前市场上面向开发人员的最大容量EEPROM,将此前的2 Mb密度提高了一倍。开发人员在所有2 Mb+ 非易失性数据集应用程序上一直采用的是低成本的NOR闪存集成电路。由于EEPROM性能超过NOR闪存,为满足客户要求,Microchip推出了容量更大的4 Mb EEPROM。新款EEPROM的优势包括:待机电流更低(从15μA降低至2μA),可执行单字节、多字节和整页写入、扇区擦除/重写时间更短(从300ms缩短至5ms)和擦除/重写次数更多(从10万次提升至100万次)。

充分挖掘串行EEPROM潜力可以为产品创新提供支持,设计人员现在可以对系统进行重新评估,并利用这项新技术来优化设计性能。

25CSM04型EEPROM是Microchip阵容庞大的非易失性存储器产品组合的一部分。该产品组合集成了Microchip全部系统解决方案,支持8位、16位和32位单片机和微处理器。Microchip丰富的存储器产品系列包括串行EEPROM、NOR闪存,SRAM和EERAM,这些产品支持所有串行总线标准,以及从128位至64 Mb的所有标准密度。


(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

IIS2ICLX可以准确地测量倾斜度和振动,帮助评估人员分析高楼等高耸建筑物和桥梁或隧道等基础设施的结构完整性。与采用早期的较昂贵的探测技术的结构健康监测传感器相比,价格适中的电池供电的基于IIS2ICLX的MEMS倾斜传感器能够对更多结构进行安全监测。

许多高精度测斜仪是单轴测量设备,而2轴IIS2ICLX加速度计却可以检测两个坐标轴与水平面的倾斜角(俯仰角和翻转角),或者将两个坐标轴合并成单轴,测量物体与水平面单一方向的倾斜角,可重复测量精度和分辨率更高,可测量±180°范围内的倾角。数字输出可以节省外部数模转换或滤波器件,简化系统设计,降低物料清单(BOM)成本。

简化IIS2ICLX的开发设计,加快应用开发周期,意法半导体还提供了专门的传感器校准和倾斜角实时计算软件库,这些软件库属于STM32Cube的X-CUBE-MEMS1扩展软件包。

IIS2ICLX采用5mm x 5mm x 1.7mm的高性能陶瓷腔LGA封装,工作温度范围-40°C至+105°C 。现在可提供样片。

制造商

Texas Instruments

制造商零件编号

TL494IN

描述

IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY 16DIP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

详细描述 降压-升压-反激-正激转换器-全桥-半桥-推挽-稳压器-正-输出-升压-降压-升压-降压-DC-DC-控制器-IC-16-PDIP

输出类型 晶体管驱动器

功能 升压,降压,升压/降压

输出配置 正

拓扑 降压,升压,反激,正激转换器,全桥,半桥,推挽

输出数 2

输出阶段 1

电压 - 电源(Vcc/Vdd) 7V ~ 40V

频率 - 开关 1kHz ~ 300kHz

占空比(最大) 45%

同步整流器 无

时钟同步 无

串行接口 -

控制特性 空载时间控制,频率控制

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)

供应商器件封装 16-PDIP

推出的容量为4 Mb的EEPROM是目前市场上面向开发人员的最大容量EEPROM,将此前的2 Mb密度提高了一倍。开发人员在所有2 Mb+ 非易失性数据集应用程序上一直采用的是低成本的NOR闪存集成电路。由于EEPROM性能超过NOR闪存,为满足客户要求,Microchip推出了容量更大的4 Mb EEPROM。新款EEPROM的优势包括:待机电流更低(从15μA降低至2μA),可执行单字节、多字节和整页写入、扇区擦除/重写时间更短(从300ms缩短至5ms)和擦除/重写次数更多(从10万次提升至100万次)。

充分挖掘串行EEPROM潜力可以为产品创新提供支持,设计人员现在可以对系统进行重新评估,并利用这项新技术来优化设计性能。

25CSM04型EEPROM是Microchip阵容庞大的非易失性存储器产品组合的一部分。该产品组合集成了Microchip全部系统解决方案,支持8位、16位和32位单片机和微处理器。Microchip丰富的存储器产品系列包括串行EEPROM、NOR闪存,SRAM和EERAM,这些产品支持所有串行总线标准,以及从128位至64 Mb的所有标准密度。


(素材来源:eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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