开发板基于STM32F0系列32位ARM® Cortex®微控制器STM32F030R8T6, 集成ST-LINK/V2 嵌入式调试工具接口，LED,按钮，以及易于连接其他组件和模块的原型板。

薄膜电容器的电解质采用了几μm厚的塑料膜，在混合动力汽车以及电动汽车用途中主要使用了聚丙烯膜上蒸镀了金属作为内部电极的

蒸镀金属类(金属化膜)，这些具备了如下所示的卓越的电气特性和安全性、高可靠性等特长。

对温度变化保持稳定的电容特性

耐电压性能卓越，最适合高电压用途

低损耗，因此抑制产品自身的发热，可实现节能化

敏锐的高频特性，过滤效果卓越

纹波电流耐量高，单位体积的电流密度大

自我恢复功能(自我修复)，安全性卓越

高温环境下10年以上无需维护

高耐电压、低损耗、高纹波电流、长寿命等卓越的电气特性的薄膜电容器规格。

通过介质膜的薄膜化实现小型化

通过开发蒸镀技术实现高耐电压化、长寿命化

通过降低ESR支持高纹波电流

通过开发构件的材料强化可靠性

通过优化结构设计强化散热性

等功能的薄膜电容器。

更宽的工作电压范围，6.7 V 至 45 V三相栅极驱动器

600ma 下沉 / 源集成引导放电交叉传导防御32 something arm cortex-m0 something: 高达48mhz 的时钟频率4 k 字节的内存，配有 hw 参数32 k 字节的闪存，可选字节用于写 / 读引导保护可用性加载程序

三个半桥式栅极驱动，电流容量为600mA（灌电流和拉电流），能够驱动功率MOSFETs。由于集成的互锁功能，不能同时打开同一半桥的高、低侧开关。

器件内部的3.3V DC/DC降压转换器可为MCU和外部元件供电，而其内部的LDO线性稳压器则可为栅极驱动器供电。

集成运算放大器可用于信号调节，比如采样电阻上的信号反馈。

集成可编程阈值的比较器可实现过电流保护功能。

集成的MCU（STM32F031C6后缀7的版本并扩展了温度范围，）能够实现电机磁场矢量控制（FOC）、6步无传感器等其它先级的驱动算法。它还具有针对嵌入式闪存的写入保护和读出保护功能，以防止不必要的写入和/或读取。集成嵌入式引导装载程序（Bootloader），可以通过串口下载固件。

STSPIN32F0A 器件也具有过温和欠压锁定保护功能，可置于待机模式，以减少功耗。它有16个通用 I/O（输入/输出）端口 （GPIO通用输入/输出）, 最大耐压为5V；有1个多达9通道的12位模拟数字转换器，可在单次模式或扫描模式下进行转换；有5个同步通用定时器。此外，器件还支持易于使用的调试串行接口（SWD——串行线调试）。