三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。

这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗，从而在各种应用的功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和LLC拓扑中节约能源，这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机和液晶电视，以及开放式电源。

除了具有低导通电阻，这三款器件的栅极电荷为48nC。栅极电荷与导通电阻的乘积低至26.64Ω-nC，该数值是描述用于功率转换应用中MOSFET性能的优质系数(FOM)。

新款N沟道MOSFET采用Vishay Planar Cell技术生产，这项技术为减小通态电阻进行了定制处理，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脉冲。与前一代MOSFET相比，SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了开关速度和损耗。

新的PureEdge系列硅压控晶体振荡器(VCXO)。新的NBVSBAxxx系列提供比市面上其它方案更低的成本和超低的抖动和相位噪声，非常适合应用于讲究低抖动及稳定参考时钟的设计， 例如网络、同步光网络(SONET)、万兆位以太网(10 GbE)、基站和广播设备等。

NBVSBAxxx器件的设计符合2.5 V和3.3 V低压正射极耦合逻辑(LVPECL)时钟产生应用的要求，提供0.5皮秒(ps)低抖动的参考时钟。它们由于能以2.5 V或3.3 V电源供电，所以提供了设计灵活性及简化了产品物料单(BOM)，进一步降低系统成本。这系列器件使用高Q基础模式可拉(pullable)晶体和锁相环(PLL)乘法器，提供60 MHz到700 MHz的宽范围业界标准频率，以及±100 ppm的确保可拉范围和±50 ppm的频率稳定性。NBVSBAxxx振荡器提供三态启用/关闭特性，使用户能够在-40 °C到+85 °C的完整工业温度范围内导通或关闭输出。

NBVSBAxxx器件采用密封式5.0 mm x 7.0 mm x 1.9 mm陶瓷CLCC-6表面贴装元件(SMD)封装

(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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