低导通电阻更低的传导损耗
发布时间:2020/6/8 21:55:48 访问次数:2198
4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。
SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和各种应用的LLC拓扑中节约能源，这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机电源、LCD TV和开放式电源。
除了低导通电阻，这些器件的栅极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，这些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。
新款N沟道MOSFET使用Vishay Planar Cell技术进行生产，该技术为减小通态电阻进行了定制处理，可以在雪崩和通讯模式下承受高能脉冲。与前一代MOSFET相比，SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C还具有更快的开关速度，并减小了开关损耗。
当邻道信号的干扰很高时(这在移动设备中十分常见)，可以调节增益以保持最佳的阻塞性能。MAX2666/MAX2668能够在各种输入信号条件下保证优异的系统性能，非常适合用于智能手机和平板电脑等基于HSPA/LTE的无线系统。
Maxim先进的SiGe BiCMOS工艺使得这两款宽带LNA同时具有优异的性能和极为紧凑的封装。器件提供15dB增益，1.0dB的低噪声系数可实现优于分立或CMOS方案的接收灵敏度，工作在I、IV、V、VI、VII和X UMTS频段。Maxim的创新设计使器件可提供微型封装(1.5mm x 1.0mm x 0.55mm)，从而可应用于手持设备和基于蜂窝网络的数据卡等空间受限的系统。只需一个外部元件即可完成板级设计
(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）
深圳市斌能达电子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/
4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。
SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和各种应用的LLC拓扑中节约能源，这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机电源、LCD TV和开放式电源。
除了低导通电阻，这些器件的栅极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，这些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。
新款N沟道MOSFET使用Vishay Planar Cell技术进行生产，该技术为减小通态电阻进行了定制处理，可以在雪崩和通讯模式下承受高能脉冲。与前一代MOSFET相比，SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C还具有更快的开关速度，并减小了开关损耗。
当邻道信号的干扰很高时(这在移动设备中十分常见)，可以调节增益以保持最佳的阻塞性能。MAX2666/MAX2668能够在各种输入信号条件下保证优异的系统性能，非常适合用于智能手机和平板电脑等基于HSPA/LTE的无线系统。
Maxim先进的SiGe BiCMOS工艺使得这两款宽带LNA同时具有优异的性能和极为紧凑的封装。器件提供15dB增益，1.0dB的低噪声系数可实现优于分立或CMOS方案的接收灵敏度，工作在I、IV、V、VI、VII和X UMTS频段。Maxim的创新设计使器件可提供微型封装(1.5mm x 1.0mm x 0.55mm)，从而可应用于手持设备和基于蜂窝网络的数据卡等空间受限的系统。只需一个外部元件即可完成板级设计
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