UPD6600产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:11A

表面贴装聚合物钽模塑片式电容器，新增加Z外形 (EIA 7343-19)  尺寸器件。日前发布的Vishay Polytech电容器高度比标准V 外形 (EIA 7343-20) 尺寸器件低0.1  mm，提高了封装密度，可用于设计更薄的成品。这款器件适用于计算机、服务器、网络基础设施设备、固态硬盘和无线收发器的电源管理、电池解耦和储能。

T55系列的外形尺寸为紧凑型J、P、A、B、T(低高度B，最高1.2mm)、D、V和Z，电容范围为3.3 μF-680  μF，额定电压2.5V-63V，电容公差为±20%。电容器在+25  °C条件下具有500mΩ到7mΩ超低ESR，这得益于聚合物阴极，其性能远优于采用二氧化锰材料的器件。高达1000 μF电容值和低至6  mW的ESR值器件正在开发中。

电容工作温度范围为-55 °C至+105 °C，具有高达5.66 A IRMS的优异纹波电流等级，其低内阻可提高充放电特性。T55系列电容器采用无铅  (Pb) 端接，符合RoHS、无卤素和Vishay绿色标准。器件可使用高速自动拾放设备进行贴装，潮湿敏感度等级 (MSL) 为3级。

数据列表

OPA277/2277/4277;

标准包装

2,500

包装

标准卷带

零件状态

有源

类别

集成电路（IC）

产品族

线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器

系列

其它名称

296-26268-2

OPA277UA/2K5-ND规格

放大器类型

通用

电路数

1

输出类型

压摆率

0.8V/μs

增益带宽积

1MHz

电流 - 输入偏置

500pA

电压 - 输入失调

20μV

电流 - 电源

790μA

电流 - 输出/通道

35mA

电压 - 电源，单/双（±）

4V ~ 36V，±2V ~ 18V

工作温度

-40°C ~ 85°C

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装

8-SOIC

在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。

根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

光刻不是一个简单的过程，它要经历很多步骤：

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少针孔和其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例Goldfinger Mach2清洗系统)、美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304 DSS清洗系统)、日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。

预烘和底胶涂覆(Pre-bake and Primer Vapor)，由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100

°C。这是与底胶涂覆合并进行的。

底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用: (HMDS)六甲基二硅胺、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。

(素材来源：ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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