NLCV32T-R15M-PFR合成膜精密电阻器

发布时间:2019/11/8 17:35:21 访问次数:1015

NLCV32T-R15M-PFR低噪声放大电路举例,图6,7.6是一个低噪声互阻放大电路(电流一电压变换器)的原理电路①,是用于测量细胞膜离子通道高阻的弱电流(皮安量级)、低频率(0~10)Hz的信号。由于信号电流很微弱,因而放大电路前置级(探头)的设计思想集中在低噪声和高输入阻抗上。现就其电路结构和低噪声分析分别介绍如下:

电路结构,该电路为带电流源的共源一共基串接差分式放大电路,输出接至集成运放A进行放大。为使电路稳定地工作,从运放输出端通过电阻Rf接到输人端,

形成负反馈电路。并将输人电流i1变换为输出电压vo,其增益为AP,量纲为GΩ(109Ω)。

低噪声分析,在上述电路结构的条件下,其噪声水平关键取决于所使用的元器件。电路中的电流源由BJT T1(2NZl叫01,Motorola)、r1、R2和R3组成,在所示参数的情况下,电流源的rc1的值为6mA,这样,每边差分式电路的静态电流JD21=rD22=3mA,此

放大电路中的噪声与干扰，前置级功率级机壳接地正确的多级放大电路

该电路是华中科技大学研制的第二代膜片钳放大器(PC-Ⅱ型)的前置放大电路。

低噪声互阻放大电路(电流一电压变换器)

电流值既限制了电路中过高的噪声电平,也可兼顾电路的增益。

共源电路由JFET T21、T22对管(U430,siliconix,USA)组成,它属于低噪声

(v2n=2nⅤ/hz)、高输入阻抗、互导gm也大(在JD=3mA时gm=8ms)的器件。T3、T4为低噪声的BJT(2N4401)器件,组成共基放大电路,T3、T4在Fc=3mA条件下,噪声电压y3h<1nⅤ/γ/hz。该共基电路一方面可以扩展电路的高频响应,同时又将共源电路与负载电阻R5、R6隔离,不致使R5、R6所产生的热噪声电压(yRn=6nⅤ/,vhz)经Cgd耦合到两输入端。共源一共基电路的另一特点,是通过电位器Rp调整T3、T4的基极电位,从而使T21、T22和T3、T4具有合适的工作状态,并达到该电路的最佳噪声性能,C1是滤除-12V电源的干扰电压,C2是滤除电位器RP的热噪声电压和+12Ⅴ电源的干扰电压;C3、R4为去耦电路,隔离电源的前后级相互之间的影响,防止低频自激。C4~C7是减小正、负电源对运放A的影响,即减小引入运放的高、低频干扰。

运放A为BiFET的LF356,它具有低噪声、高输人电阻、高增益的特性,其噪声电压y人n=12n Ⅴ//hz。它与共源一共基组态配合使用,达到了较好的抑制噪声性能,从而满足了低噪声的要求。

反馈电阻Rr的阻值较高,达GΩ量级,从理论上讲电阻器的阻值越高,电流噪声越小;但阻值越高,电阻器本身的热噪声和分布电容也大,故选用Kobra(K&M,Electronics)的合成膜精密电阻器。

对于低噪声放大电路,除了合理地设计电路结构和选择高品质的元器件外,它的制作工艺还须特别讲究,此处从略。

电子电路所用电子器件中有哪几种噪声?其含义如何?在低噪声放大电路的设计中应怎样选用器件?在BJT、JFET和MOsFET三种器件中,何种器件噪声最小?

在测量放大电路输出的电压时,有时会出现50 Hz和100 Hz的干扰电压,何故?应采用何种措施加以抑制?

电子系统中地线接法很重要,你能否举例说明当地线接法不正确而产生的干扰源吗?如何消除这种干扰。

现有BJT、JFET和MOSFET三种器件,如果放大的对象是高内阻信号源的电流信号,而且又要求用于低噪声放大电路,你应选用哪种放大器件?

当人们用收音机收听广播时,有时常听到低频的嗡嗡声或高频的尖叫声,这时收音机放大电路中出现了什么干扰和噪声?

例SPE6,8,1 带恒流源负载的射极耦合差分式放大电路如图6.2.6所示,其中T1、T2、T5、T6采用2N3904,T3、T4采用2N3906。所有BJT的b=107,rw=200Ω。电阻和电源参数如图中所示。试求:电路中基准电流fREF,偏置电流rc5、rcl、rc2和电压ycm、ycm;电路的差模电压增益Ard2、输人电阻Rid和输出电阻Ro;绘出放大电路幅频和相频响应的波特图。

解:设置静态工作点分析,得rREF=2.38 mA, rc5=1,37mA, rc1=0.676 mA, rc2=o.674 mA, vcE1=5.96V,ycE2=5.65v

设置小信号输人的动态分析,得

avd2=547.4, Rid=7.48 kΩ, Ro=22.74 kΩ

设置交流扫描分析,得放大电路幅频和相频响应的波特图如图6,8,1所示。带宽约为105 kHz。