TC701肖特基TTL电路,图3.2.13所示为肖特基TTL与非门的电路结构图,与图3.2.7所示的基本的TTL与非门电路相比,该电路做了若干改进。在基本的TTL电路中,T1、T2和T3工作在深度饱和区,管内电荷存储效应对电路的开关速度影响很大。现在除T4外,其余的BJT均采用SBD钳位,以达到明显的抗饱和效果。其次,基本电路中的所有电阻值这里几乎都减半。这两项改进导致门电路的开关时间大为缩短。由于电阻值的减小也必然会引起门电路的功耗增加。

肖特基TTL门电路对基本TTL电路(图3.2.7)的性能做的改进还有以下三点:

基本TTL电路中的二极管D和T4由T4和T5所组成的复合管所代替,当输出由低电平向高电平过渡时,由于复合管电路的电流增益很大,输出电阻很小,从而减小了电路对负载电容的充电时间。

电路输人端所加的SBD DA和D:,用来减小门电路之间的连线而引起的杂散信号,并防止输人信号反向过冲使T1电流过大而损坏。

由T6与凡6、Rb6组成的有源电路代替了基本TTL电路中的Re2(1 kΩ)。当与非门的全部输入端由低电平转向高电平时,T2饱和导通,由于T6的基极回路串接了电阻Rb6,T6的导通滞后T3,使T2以较大的电流驱动T3,从而加快了T3的饱和过程。随后,T6开始导通,将对T3的基极电流产生分流作用,减轻了T3饱和程度,当电路再次翻转时,T3能很快地截止。因而,有源电阻缩短了门电路的转换时间,使其电压传输特性得到改善。与TTL反相器的传输特性相比,C点不再存在了,由B点直接下降到D点,即传输特性变化非常陡峭。有源非线性电路称为有源下拉电路①,它与有源上拉电路是对应的。

除典型的肖特基型TTL(74S系列)外,还有其他类型的改进电路,它们的技术参数各有特点,是在TTL工艺的发展过程中逐步形成的。