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BM07B-GHS-TBT(LF)(SN)(N)微波功率温度控制

发布时间:2019/9/26 23:31:51 访问次数:733

BM07B-GHS-TBT(LF)(SN)(N)零功率电阻值 。指在规定的温度下测得的热敏电阻器的直流电阻值 ,一般情况下是指 25℃ 。

b,B常数 。反映热敏电阻的电阻值随着温度变化而变化敏感程度的指数 。B常数越高热敏电阻的热敏感程度就越高 。

c.热耗散系数 。指热敏电阻耗散功率的变化与相应的温升值之比。

d.时间常数 。表示热敏电阻热性能反应程度的常数 。热敏电阻自热后冷却其温度上升的63.2%所需要 的时间即热敏电阻阻值 变化 63.2%所需要的时间。一般情况下是指从25℃ 上升至 85℃再下降所需要 的时间 。

e.最大稳态电流 。指热敏电阻能够连续施加电流的最大值 。

f.残余电阻值 。残余电阻值是热敏电阻通电时所消耗 的功率的大小 ,最大电流相同的情况下残余 电阻值越小消耗 的功率就越小 ,热敏电阻温度升得就越少 .热敏电阻就越好 。

g.最大允许电容容量 。指在负载状态下 ,与一个热敏电阻连接的电容器的最大允许电容量 。 ② NTC热敏电阻的选用负温度系数热敏电阻 ,一般用在电子产品中作为微波功率测量 、温度检测 、温度补偿 、温度控制及稳压等 。选用时应根据电路设计的要求 ,选择合适的类型及型号 。

光敏电阻 光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变 的电阻器 ;人 射光强 ,电阻减小 , 人射光弱 ,电 阻增大 。光敏电阻器通常由光敏层 、玻璃基片 (或树脂防潮膜)和 电极等组成 。通常将金属的硫化物 、硒化物和碲化物等半导体采用涂敷 、喷涂 、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆 电极 ,在光敏材料的梳状欧姆 电极两端装上电极引线 ,就构成光敏 电阻。其外形和电路符号如图1-11所示 。光敏电阻目前主要应用于各种自动控制电路 、家用电器及各种测量仪器中。

熔断电阻叉称为保险丝电阻 ,是一种具有电阻器和熔断器双重作用的特殊元件 ,当电路出现故障 .通过熔断电阻的功率超过其额定功率时 ,熔断电阻会在规定时间内断开电路 ,从而达到保护电路中其他元器件的作用 。熔断电阻器可分为可恢复式熔断电阻器和一次性熔断电阻器两种 。

BM07B-GHS-TBT(LF)(SN)(N)零功率电阻值 。指在规定的温度下测得的热敏电阻器的直流电阻值 ,一般情况下是指 25℃ 。

b,B常数 。反映热敏电阻的电阻值随着温度变化而变化敏感程度的指数 。B常数越高热敏电阻的热敏感程度就越高 。

c.热耗散系数 。指热敏电阻耗散功率的变化与相应的温升值之比。

d.时间常数 。表示热敏电阻热性能反应程度的常数 。热敏电阻自热后冷却其温度上升的63.2%所需要 的时间即热敏电阻阻值 变化 63.2%所需要的时间。一般情况下是指从25℃ 上升至 85℃再下降所需要 的时间 。

e.最大稳态电流 。指热敏电阻能够连续施加电流的最大值 。

f.残余电阻值 。残余电阻值是热敏电阻通电时所消耗 的功率的大小 ,最大电流相同的情况下残余 电阻值越小消耗 的功率就越小 ,热敏电阻温度升得就越少 .热敏电阻就越好 。

g.最大允许电容容量 。指在负载状态下 ,与一个热敏电阻连接的电容器的最大允许电容量 。 ② NTC热敏电阻的选用负温度系数热敏电阻 ,一般用在电子产品中作为微波功率测量 、温度检测 、温度补偿 、温度控制及稳压等 。选用时应根据电路设计的要求 ,选择合适的类型及型号 。

光敏电阻 光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变 的电阻器 ;人 射光强 ,电阻减小 , 人射光弱 ,电 阻增大 。光敏电阻器通常由光敏层 、玻璃基片 (或树脂防潮膜)和 电极等组成 。通常将金属的硫化物 、硒化物和碲化物等半导体采用涂敷 、喷涂 、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆 电极 ,在光敏材料的梳状欧姆 电极两端装上电极引线 ,就构成光敏 电阻。其外形和电路符号如图1-11所示 。光敏电阻目前主要应用于各种自动控制电路 、家用电器及各种测量仪器中。

熔断电阻叉称为保险丝电阻 ,是一种具有电阻器和熔断器双重作用的特殊元件 ,当电路出现故障 .通过熔断电阻的功率超过其额定功率时 ,熔断电阻会在规定时间内断开电路 ,从而达到保护电路中其他元器件的作用 。熔断电阻器可分为可恢复式熔断电阻器和一次性熔断电阻器两种 。

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