调谐时总是希望失真尽可能小,最好是频率和电压之间有良好的线性关系。 LM8364BALMFX30而超突变结最能满足此项要求,为此,在制管过程中,在N区采用一定的杂质浓度是负梯度(负梯度是制造晶体管的一种特定工艺方法)形成超突变结。负梯度离PN结越远,杂质浓度ⅣD减少越多。由势垒电容随偏压变化关系式得知,对于单边突变结,其势垒电容的大小还跟掺杂一边的杂质浓度ⅣD有关,ⅣD小,电容亦小。对于突变结,ⅣD在PN结区域保持不变;而对于超突变结,离PN结越远,ⅣD越小,所以,当外加偏压变化时(例如向负的方向变化),电容变化更明显。作为电调谐应用,总是希望调谐带宽越大越好,因此采用超突变结。

    但是超突变结也有缺点,离PN结越远,ⅣD越小,体电阻越高,串联电阻Rs越大,Q值和截止频率rG无法提高,而且噪声显著增加。

   扫频仪工作原理

   BT―3GⅢ扫频仪是江苏徐州隆宇电子仪器有限责任公司生产的系列扫频仪之一(此扫频仪为国际中标产品)。该仪器具有全扫、窄扫、点频、矩形内刻度示波管显示等功能。还具有测量技术先进、性能稳定可靠、功能齐全、操作简便、测量速度快、精度高等特点。