位置:51电子网 » 技术资料 » 接口电路

功率场效应晶体管的串并联

发布时间:2019/7/17 21:05:23 访问次数:1190

    功率场效应晶体管的串并联

    1 功率MOSFET的串联H55S1222EFP-60M

   一般来说,因为功率MOSFET经常工作在高频开关电路中,在解决动态均压时,由于分布参数的影响,常用的电阻与电容串联难以做到十分满意,所以通常不将它们串联工作。

   2功率MOsFET的并联

   由于功率MOsFET的导通电阻是单极载流子承载的,具有正的电阻温度系数。当电流意外增大时,附加发热使导通电阻自行增大,对电流的正增量有抑制作用,所以功率MOSFET对电流有一定的自限流能力,比较适合于并联使用而不必采用并联均流措施。功率MOSFET不会出现电流集中而引起器件损坏,因为功率MC)sFET具有正的温度系数。当某一部分的漏极电流增加时,由于损耗增大,会引起该区域的温度升高,漏极电流又降下来,这种特性消除了因电流集中出现局部热点的可能性。






    功率场效应晶体管的串并联

    1 功率MOSFET的串联H55S1222EFP-60M

   一般来说,因为功率MOSFET经常工作在高频开关电路中,在解决动态均压时,由于分布参数的影响,常用的电阻与电容串联难以做到十分满意,所以通常不将它们串联工作。

   2功率MOsFET的并联

   由于功率MOsFET的导通电阻是单极载流子承载的,具有正的电阻温度系数。当电流意外增大时,附加发热使导通电阻自行增大,对电流的正增量有抑制作用,所以功率MOSFET对电流有一定的自限流能力,比较适合于并联使用而不必采用并联均流措施。功率MOSFET不会出现电流集中而引起器件损坏,因为功率MC)sFET具有正的温度系数。当某一部分的漏极电流增加时,由于损耗增大,会引起该区域的温度升高,漏极电流又降下来,这种特性消除了因电流集中出现局部热点的可能性。






相关IC型号
H55S1222EFP-60M
暂无最新型号

热门点击

 

推荐技术资料

耳机放大器
    为了在听音乐时不影响家人,我萌生了做一台耳机放大器的想... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!