混台集成电路

   混合集成电路是由半导体集成工艺与薄(厚)膜工艺结合而制成的集成电路。GBL06 混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线,并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装,再外加封装而成的。与分立元件电路相比,混合集成电路具有组装密度大、可靠性高、电性能好等特点,相对于单片集成电路,它设计灵活、工艺方便,便于多品种小批量生产,而且元件参数范围宽、精度高、稳定性好,可以承受较高电压和较大功率,厚膜微波集成电路的工作频率可以达到4GHz以上。厚膜混合集成电路与半导体集成电路相互补充、相互渗透,广泛应用于电子系统设备中,对电子备的微型化起到了重要的推动作用。混合集成电路的应用以模拟电路、微波电路为主,也用于电压较高、电流较大的专用电路中。

   混合集成电路发展方向为开发应用多层布线、高密度组装和三维电路向具有单元系统功能的大规模厚膜混合集成电路发展;开发价廉质优的各种新型基板材料、浆料与包封材料,如sIC(基板、外壳、瓷釉基板、CJ-10环氧树脂板等),贱金属系浆料、树脂浆料等,高温稳定性良好的包装材料与玻璃低温包封材料等;采用各种新型片式元器件,如微型封装结构器件(SoT、QFN)、功率微型模压管、大功率晶体管、各种半导体集成电路芯片、各种片式电阻器、电容器、电感器与各种片式可调器仵、R网络、C网络、RC网络、二极管网络、三极管网络等。