表9.4中比较了本节包含的各种平面内TEG器件。为了便于比较,输出电压和输出功率对于温差和面积都做了归一化处理。由表可以看出,OPA1612AIDRGR平面内TEG器件具有相对较高的输出电压,而输出功率较低。这主要是因为平面内TEG具有较大的内部电阻。

    表9.4 各种平面内TEG器件性能对比

    假设芯片立在侧壁上。面交叉厚膜TEG:面交叉厚膜TEG膜厚在十微米数量级到百微米数量级。如此厚的膜组成的热电偶通常可以通过预先设计好的模具、传统的机械制造甚至手动操作来造。因此,热电偶的尺寸相对较大,尤其相比于在接下来内容中阐述的面交叉薄膜TEG器件。例如,日本精工集团开发的TEG器件上的热电偶腿的尺寸为80um×gOum×ω0um,如图9.9所示22-c面交叉厚膜TEG通常只包含有限数量的热电偶,大多不超过⒛0根。同时由于

ⅡTe化合物的较低的热电转换特 性,使得面交叉厚膜TEG输出电压在中等范围。

    表9.5列出了相关文献中报道的面交叉厚膜TEG的技术细节。注意,参考文献中没有明确给出的参数是通过图表或者数字中提取的。对于面交叉厚膜TEG,单位温差下的输出电压通常在mⅤ级别,而输出功率可以达到uW级别。这主要是因为面交叉厚膜TEG具有相对大的几何结构和金属互连较大的接触面积产生了较低的内部电阻。喷气推进实验室制造的碲化铋TEG器件的内部电阻仅有1z~30Ω[23]。