MOS IC各引出线应短接以保持等电位或安放在导电的容器中，器件要与容器紧密接触并固定住，防止运输时在容器内晃动摩擦。

    在地球及外层空间中，辐射环境来自自然界和人造环境两个方面。自然环境中存在着天然辐射带、宇宙射线、太阳风和太阳光耀斑，它们都是一些带电或不带电的粒子，包括质子、电子、中子、X射线和丫射线等，其中有的能量很高。

D25XB60

    中子不带电，具有很强的穿透能力。当中子与硅材料中原子发生碰撞时，晶格原子在 碰撞中获得能量而离开其原来位置进入品格间隙，在原来位置处留下一个空位，这种现象 称为位移效应，这是一种永久损伤。若晶格原子能量较高，它的运动还可使路径上更多晶 格原子发生位移，在晶格内形成局部的损伤区，这是一种缺陷。由于位移效应破坏了半导 体品格的势能，在禁带中形成新的电子能级，起复合中心和散射中心的作用。复合中心可使半导体内多子减少，使材料电阻率增大，向本征硅转变（起杂质补偿作用>。这种多子减 少效应是以多子为导电机理的半导体器件性能衰退的根本原因，它对双极器件危害最大。 它增加发射结空间电荷区的产生一复合电流，缩短基区少子寿命，使电流放大系数下降，饱 和压降增加，引起性能退化。其中少子寿命是中子辐照引起半导体材料特性变化最灵敏的 参数。

核辐射（在各种核反应中，从原子核内释放出来的粒子或电磁辐射，都叫核辐射）和核电磁脉冲等。它们不仅在爆炸瞬间对电子系统及设备产生巨大破坏作用，爆炸过后在地磁场作用下形成人工辐射带继续其破坏作用。而且人工辐射带（主要是高能电子）的强度比天然辐射带强得多。此外核反应堆附近也存在一定的核辐射，主要是中子和7射线。所以在辐射环境中，器件会受到这些粒子的伤害而叫辐射损伤。

   辐射对微电子器什的损伤，可分为永久、半永久及瞬时损伤等几种情况。永久损伤就是指辐射源去除后，器件仍不能恢复其应有的性能。半永久损伤是指辐射源去除后，在较短时间内可逐渐自行恢复性能；而瞬时损伤是指在去除辐射源后，器件性能可立即自行恢复。辐照效应主要包括位移效应、电离效应、瞬时辐照效应和单粒子效应。