HC259M

   由酞菁铜形成的ITo与空穴传输材料之间的缓冲层。酞菁铜(∞pper phtha1ocyanine,CuPc)是最早用于oLED器件的阳极修饰

材料之一u纠,它的HOMO能级约为4,8eV。研究表明,使用CuPc修饰ITO制备的器件既可以提高器件效率,又可以提高器件寿命,而且CuPc对ITO的修饰有不同的作用机制。一方面,CuPc在ITO表面的引人,由于向空穴传输层(如NPB)注入势垒增加[未引人CuPc空穴势垒:5,4-5.0=0,4(eVl;引入CuPc空穴势垒:5,4-4.8=0.6(eV)],降低了空穴注人效率,提高正负载流子的注人平衡,因此器件效率增加囵;另一方面,当CuPc内嵌与ITO与空穴传输材料TPDe刀ˉbis[Nˉ3ˉmethylphenyl-Nˉphenyl-amino]-biphenyD之间时,发现空穴注人增强的现象u叫。造成这种情形的原因是ITO表面比较复杂,其功函数大小与清洗及处理过程密切相关。由于CuPc的HOMO能级与ITO 费米能级非常接近,不同的处理方法,使CuPc的HoMO可能处于ITo的上方,也可能处于ITO的下方。显然,后者可以增强注人,而前者则降低注人,如图5.16所示。以CuPc修饰ITO的另一个显著优点是它可以提示ITO表面的规整度,增强有机材料在衬底上的附着,因此有CuPc修饰的ITO衬底通常使器件稳定性和寿命得到提高。

   图5,16 CuPG对ITo修饰产生的两种情况及对后面空穴注人势垒的影响la)CuPc的HOM0在ITo费米能级的下方,向HTL注入空穴的势垒tAΘ降低;lb)CuP。的HOMo在ITo费米能级的上方,向HTL注人空穴的势垒tAo增大