HD74HC74P

   TFEL属于非注入型它的基本结构是,发光层的两侧依次为高介电常数的绝缘层和电极,绝缘层的嵌人是为了获得高压交变电场。在这种器件中,发光活性材料以掺杂的方式分散或者夹杂在发光 电致发光lELl活性层中,在高强交变电场的作用下,绝缘体系中的电子得到加速并撞击 发光物质,使其由于获得能量而被激发,处于激发态的活性物质通过辐射 衰减而发光。 TFEL发光的缺点是高压驱动以及低效率。而且,TFEL器件 的制各工艺需要高温,各功能层制备主要采用方法包括真空蒸镀、溅射及 CVD法(chemial vapor deposition)。发光层要在500~60O°C下进行热处理, 基板要耐高温。

     图5.4 基于薄膜结构的电致发光机制

     (a)高电场下的本征电致发光σFEL);lb)基于半导体pn结的注人型电致发光GED);lc)电极/绝缘体/电极(MIM)夹心结构的注人型电致发光,这种结构包括单层或多层的宽带无机半导体或者有机材料,其中有机材料作为活性材料的,就是本章即将讨论的有机电致发

光器件(oLED)

    LED是基于无机半导体pn结的注入型EL,如图5.4所示。加载电场, 可驱动LED结构中现存载流子向pn结移动,同时,也向器件中注人载流子。移动到pn结处的正负载流子经过带间复合而发光。无机LED器件中多层结构的制备需要分子束外延技术,材料纯度要求高,成本较为昂贵。由于发光是基于pn结之间的带隙跃迁,因此蓝光的获得较为困难。OLED是类似于电极/绝缘体/电极(MIM)夹心结构的注入型电致发光,其器件结构是单层或多层的有机物内嵌于两个电极之间,如图5.4所示。这种器件中不存在pn结,也不存在自由载流子,正负载流子分别由两个电极注人,在电场作用下由于相向输运而靠近,因而有机会发生复合,产生激子,进而产生光辐射。