FA7615M

   研究发现:①通过真空蒸镀可以获得层状的多晶6T和α,o-DH6T薄膜。②6T薄膜中分子主要以“鱼骨型”站在衬底表面,这些分子的沩轴平面与衬底平行,长轴c垂直于衬底(图3,27(a))。薄膜中还存在一少部分分子,它们是六噻吩分子通过热平衡成核机制形成的堆积,这类分子的c轴平行于衬底、以网状乃们平面为接触面。③与6T的“鱼骨型”堆积模式大不相同,α,co-DH6T真空蒸镀薄膜只存在一种相同方向的堆叠模式(图3.27),它们全部站立在衬底表面,空间构型相同。薄膜中,由一个六噻吩链和两端的己烷基链构成了一个单分子层。

    比较6T与α,oˉDH6T的晶格常数,还可以发现α,⒐DH6T的两个短轴发生了变化:3轴变长,而猢i昭变短。变短的臼sin'使α,coˉDH6T中的分子链之间的排列更加紧密,冗冗轨道耦合增强。也就是说,从六噻吩到含端基取代的六噻吩,其真空蒸镀薄膜中分子排列趋于规整和紧密,非常有利于电荷传输。这些由端基取代带来的噻吩齐聚物分子排布变化,是不难理解的。因为当含有不同结构单元的分子聚集时,分子与分子之间,相同化学特性的结构单元倾向于相互结合,形成均质微晶颗粒区域。因此在α,QˉDH6T分子中的两个截然不同的部分,即刚性噻吩环和柔性的烷基链,倾向于分别聚集,形成各自的隔离区域,从而使分子排列更加规整和紧密。总之,线性噻吩齐聚物在衬底上的定向排列,导致了载流子各向异性的输运规律。例如,真空蒸镀的6T和α,co-DH6多晶薄膜在平行于衬底方向的电导率分别为1×1σ6和6×1fJ5s/cm;而在垂直于衬底方向,该值分

别为2×10ˉ7和5×1fl7s/Cm。实验同时证明,含有端基烷烃取代的噻吩齐聚物的场效应迁移率⑴,oˉDH6,0,Os c′/(Ⅴ・s))比没有取代基的齐聚物高(6T,0,002cm2KV・s))。

    另有报道指出,当噻吩齐聚物连接到星形三苯胺的末端形成星形噻吩齐聚物时(图3,28),所得材料表现出比较有趣的场效应特性。该材料通过溶液旋涂形成的非晶薄膜的场效应迁移率只有1fl5cm2/(V・θ,而通过真空蒸镀形成的非晶薄膜的场效应迁移率达到了较高的数值,0.011cm2/(V・Θ。研究认为这是真空蒸镀容易形成比较紧密薄膜的缘故。