HD6417327BPZ120V

   在饱和范围内,由于沟道内载流子浓度与漏电压无关,接触电阻将不再影响载流子的浓度,因此如果忽略接触电阻的长度d,则饱和区域的电流公式与不考虑接触电阻情形相同。

   总之,一个性能优良的有机场效应晶体管通常具有以下性能指标:①在低的漏电压和栅电压下,有较高的沟道电流;②高电流开/关比;③高迁移率;④较小的阈值电压以及亚阈值漂移。研究发现,影响有机场效应晶体管性能的因素很多,例如,①有机半导体材料的纯度及薄膜的规整性对器件迁移率的影响很大,通常希望有机半导体材料具各高纯度无杂质、高迁移率、无载流子捕获陷阱、对水和氧不敏感等。②源漏电极极与半导体之间、半导体与绝缘体之间接触界面的优劣等对器件迁移率有较大影响。其中,希望源漏电极与有机半导体之间的界面为欧姆接触,即有机半导体的HoMO/LUMO能级与源漏电极匹配。③阈值电压受控于有机一绝缘体界面处的陷阱密度、源极、漏极处接触界面的优劣等。其中,栅绝缘体要求有

较高的介电常数,厚度很薄且无针孔缺陷、无电流泄漏。④器件结构的优化可提高开关比。⑤温度对器件的迁移率、开关比等参数也有一定的影响。由于材料的聚集态、界面的优劣与薄膜制各、生长条件密切相关,因此有机场效应晶体管器件的好坏,并不能简单地以材料性能和器件结构来决定,还应密切关注薄膜制各过程中的各种参数,例如,真空沉积时衬底温度、沉积速率或旋涂制各过程中的转速、溶剂等。