HCF4094

   小(如60mV/decade),rD~/G曲线将越陡,表明器件性能较好。而较大的亚阈值漂移通常意味着器件中存在上述某些问题,器件的开启区域将会漂移。将s乘以器件介电层的电容参数(Gx),可以得到归一化的亚阈值漂移,该值可用于比较不同介电材料的器件性能。

    结合场效应晶体管器件的输出特性和转移特性曲线,可以获得器件的电流开关比参数。电流开关比定义为器件开状态电流与关状态电流的比值,通常以10芮形式表示。其中,关状态电流可以根据器件在给定栅电压下的输出曲线中,阈值电压对应的电流值获得,而开状态电流的取值与一定栅电压下器件输出曲线中的饱和电流对应。显而易见,高的开关比需要高的开状态电流和小的关状态电流,而这些特性分别与半导体的迁移率和掺杂状态相关。

    另外,如果在两个方向扫描栅电压,得到循环fD~/G曲线,可用来研究器件的滞后现象。滞后现象指回扫漏电流小于正方向扫描电流的现象,理想状态下,该现象不存在或者很小。如果滞后现象很大,说明半导体材料纯度不够,或者半导体与绝缘体之间的界面存在一定的问题。